[发明专利]氮化镓功率器件封装前的处理方法及封装结构在审
| 申请号： | 202310610675.7 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116646256A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李湛明 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 封装 处理 方法 结构 | ||
1.一种氮化镓功率器件封装前的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供待封装的氮化镓晶圆；
采用镀膜工艺在所述氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层；
对所述氮化镓晶圆进行切割形成多个氮化镓芯片；以及，
通过导电胶层将所述氮化镓芯片上形成有所述绝缘材料或半绝缘材料层的一面粘附于金属背板上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件封装前的处理方法，其特征在于，在所述氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层之前，还包括：对所述氮化镓晶圆的背面进行减薄。
3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件封装前的处理方法，其特征在于，所述绝缘材料或半绝缘材料层的厚度大于等于10nm，小于等于1000nm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件封装前的处理方法，其特征在于，所述镀膜方法包括热蒸镀、原子层沉积镀膜方法、化学气相沉积镀膜方法或物理气相沉积镀膜方法。
5.一种氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，包括：
金属背板；
位于所述金属背板上的导电胶层；
位于所述导电胶层上的氮化镓芯片，所述氮化镓芯片的背面通过所述导电胶层粘附于所述金属背板上；以及，
位于所述氮化镓芯片与所述导电胶层之间的绝缘材料或半绝缘材料层。
6.根据权利要求5所述的氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，所述氮化镓芯片上设置有芯片栅极、芯片源极与芯片漏极。
7.根据权利要求6所述的氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括封装框架，所述芯片漏极通过第一键合引线与所述封装框架的漏极金属引线连接，所述芯片栅极通过第二键合引线与所述封装框架的栅极金属引线连接，所述芯片源极通过第三键合引线与所述金属背板连接。
8.根据权利要求7所述的氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括外壳，所述外壳密封所述氮化镓芯片与所述金属背板。
9.根据权利要求5所述的氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，所述绝缘材料或半绝缘材料层的厚度大于等于10nm，小于等于1000nm。
10.根据权利要求5所述的氮化镓功率器件封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括背板金属引线，所述背板金属引线与所述金属背板连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州量芯微半导体有限公司，未经苏州量芯微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310610675.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
