[发明专利]沟槽的填充方法在审
| 申请号： | 202310615676.0 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116564986A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李睿;曹志伟;张召 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 方法 | ||
1.一种沟槽的填充方法，其特征在于，包括：
在第一外延层上形成硬掩模层，所述第一外延层形成于硅衬底上；
在所述硬掩模层中形成第一沟槽，所述第一沟槽底部的第一外延层暴露；
进行刻蚀，刻蚀至所述第一沟槽下方第一外延层中的预定深度，在所述第一外延层中形成第二沟槽，所述第二沟槽的深度和宽度的比值大于4；
进行预处理以去除所述第二沟槽表面的杂质；
通过采用纯硅源的外延沉积工艺在所述第二沟槽表面形成硅晶种层，所述采用纯硅源的外延沉积工艺是指在沉积中不使用氯化氢的外延沉积工艺；
通过底压外延沉积工艺形成第二外延层，所述第二外延层填充所述第二沟槽；
去除所述第二沟槽外的硬掩模层和第二外延层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯硅源包括DCS。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在通过采用纯硅源的外延沉积工艺在所述第二沟槽表面形成硅晶种层的过程中，DCS的流量为210SCCM至400SCCM。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅晶种层的厚度为50纳米至200纳米。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在通过底压外延沉积工艺形成第二外延层的过程中，通入的气体包括DCS和氯化氢。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在通过底压外延沉积工艺形成第二外延层的过程中，反应腔室的气压为11托至30托。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述预处理包括氢气烘烤和/或氯化氢刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
