[发明专利]正性光刻胶用聚酰亚胺树脂及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：按重量百分比，包括聚酰亚胺前驱体(PAA)75-92.5％，超支化链前聚体11.5-15.5％，光致酸剂1.2-4.5％；

所述聚酰亚胺前驱体(PAA)通过含氟二胺单体和含氟二酐单体聚合制得；

所述超支化链前聚体为链式超支化烯基叔丁酯，所述链式超支化烯基叔丁酯由多元醇与烯基叔丁酯聚合制得。

2.如权利要求1所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述含氟二胺单体为2，2′－双三氟甲基－4，4－联苯二胺，所述含氟二酐单体为4，4’－(六氟异丙烯)二酞酸酐。

3.如权利要求1所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述光致酸剂为鎓盐光致酸剂、二甲酰亚胺N-磺酰基、含氟肟酯类中的至少一种；

所述鎓盐光致酸剂为硫鎓盐光致酸剂或碘鎓盐光致酸剂中的至少一种；

所述含氟肟酯类结构式为：

Rf基团为C₃F₇、C₄F₈H。

4.如权利要求1所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述烯基叔丁酯为丙烯酸叔丁酯、苯烯酸叔丁酯中的至少一种。

5.如权利要求1所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂中聚酰亚胺前驱体(PAA)接枝聚合在所述超支化链前聚体的端基，并混合所述光致酸剂。

6.如权利要求5所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂的玻璃转化温度为280℃-315℃。

7.如权利要求1所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂中所述光致酸剂接枝聚合在所述超支化链前聚体的端基，并接枝聚合所述聚酰亚胺前驱体(PAA)。

8.如权利要求7所述一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，其特征在于：所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂的玻璃转化温度为270℃-295℃。

9.一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂的制备方法，其特征在于：

S100：聚酰亚胺前驱体的制备：

在惰性气体保护下，将所述含氟二胺单体与所述含氟二酐单体溶解在有机溶剂中，超声波分散，缓慢滴加三乙胺和乙酸酐的混合物，并在水浴下继续反应8-15小时，制得所述聚酰亚胺前驱体；

S200：超支化链前聚体的制备：

S2001：将多元醇与2-[双(2-羟乙基)氨基]乙酸乙酯溶于有机溶剂，充分反应，在惰性气体保护下，加入聚丙烯酸叔丁酯及引发剂偶氮二异丁腈，超声波分散，油浴，充分反应5-8小时，用有机溶剂稀释，制得第一超支化链前聚体；

S2002：制备二甲酰亚胺N-磺酰基单体或鎓盐光致酸剂单体，并加入到烧瓶中，再加入S2001步骤中所述第一超支化链前聚体及引发剂偶氮二异丁腈，超声波分散，油浴，充分反应3-5小时，用有机溶剂稀释，制得第二超支化链前聚体；

S300：聚酰亚胺的制备：

S3001：按重量百分比计算，将75-92.5％的所述聚酰亚胺前驱体(PAA)接枝聚合在S2001步骤中制得的11.5-15.5％的所述第一超支化链前聚体，加入引发剂偶氮二异丁腈，超声波分散，油浴，充分反应12-15小时，然后与1.2-4.5％的所述光致酸剂混合，制得所述聚酰亚胺；

S3002：按重量百分比计算，将75-92.5％的所述聚酰亚胺前驱体(PAA)接枝聚合在S2002步骤中制得的12.7％-20％的所述第二超支化链前聚体，加入引发剂偶氮二异丁腈，超声波分散，油浴，充分反应8-10小时，制得所述聚酰亚胺。

10.一种正性光刻胶用聚酰亚胺树脂在电子封装中的应用，其特征在于：提供权利要求1-8任意一项所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，

1)将已制备的裸芯片用Tg值至少325℃的聚酰亚胺进行塑封，露出芯片电极；

2)对所述裸芯片的电极面旋转喷涂所述正性光刻胶用聚酰亚胺树脂，Tg值为270-290℃，前烘、曝光、碱液显影，形成第一树脂图案层；

3)对所述第一树脂图案层离子注入或电镀、蒸镀金属，形成导通所述芯片电极的金属柱和RDL再布线层；

4)再次旋转喷涂Tg值至少325℃的聚酰亚胺，前烘、曝光、碱液显影，形成第二树脂图案层，电镀、蒸镀金属，形成植球焊盘；

5)锡膏植球，导通所述芯片电极，同时形成热传递通道，将所述芯片的热量通过所述金属柱、植球焊盘传递到所述锡膏植球。