[发明专利]一种低功耗图像传感器在审

专利信息
申请号: 202310623895.3 申请日: 2023-05-30
公开(公告)号: CN116506750A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 创视微电子(成都)有限公司
主分类号: H04N25/766 分类号: H04N25/766;H04N25/709
代理公司: 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 代理人: 马丽青
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种低功耗图像传感器,其特征在于,包括

像素阵列(1),像素阵列(1)包含多个动态监测用像素单元,动态监测用像素单元用于根据行选择模块(4)输出的动态监测用像素控制信号采集拍摄对象的光信号,将光信号转换为电压信号VDVS后输出至动态监测模块(2);

动态监测模块(2),用于根据动态监测用时序控制模块(3)输出的动态监测用时序控制信号C1对电压信号VDVS进行处理,输出模式切换使能信号LP_EN至动态监测用时序控制模块(3);

动态监测用时序控制模块(3),用于根据基准低速时钟CK0和模式切换使能信号LP_EN向动态监测模块(2)输出动态监测用时序控制信号C1,向行选择模块(4)输出动态监测用像素驱动控制信号,以及向时序控制模块(5)输出图像传感器使能信号CIS_EN;

行选择模块(4),用于根据动态监测用像素驱动控制信号向像素阵列(1)输出动态监测用像素控制信号;

时序控制模块(5),用于根据图像传感器使能信号CIS_EN对图像传感器的工作模式进行切换;图像传感器的工作模式包括正常工作模式和低功耗工作模式。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗图像传感器,其特征在于,像素阵列(1)基于RGGB拜耳阵列;像素阵列(1)包括多个像素区块(11);每一个像素区块(11)的规模为m×m;每一个像素区块(11)的其中一个G像素的位置为一个动态监测用像素D,动态监测用像素D为白色像素。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗图像传感器,其特征在于,动态监测用像素D的其中一种结构为动态监测用像素结构A;动态监测用像素结构A包括光电二极管PD、MOS管M0、MOS管M1、MOS管M2和MOS管M3;光电二极管PD的阳极接地,光电二极管PD的阴极连接MOS管M0的源极;MOS管M0的栅极接入动态监测用像素控制信号TX_Di,MOS管M0的漏极连接MOS管M2的栅极;MOS管M1的源极连接在MOS管M0的漏极与MOS管M2的栅极之间,MOS管M1的栅极接入动态监测用像素控制信RS_Di;MOS管M2的源极连接MOS管M3的漏极,MOS管M3的栅极接入动态监测用像素控制信号SX_Di,MOS管M3的源极输出VDVS电压信号;位于同一列的多个动态监测用像素结构A输出的VDVS电压信号通过同一条VDVS信号线输入动态监测模块(2)的输入端;i=0,2,…,R,R表示像素阵列(1)中接收动态监测用像素控制信号的行数。

4.根据权利要求3所述的一种低功耗图像传感器,其特征在于,动态监测用像素D的另一种结构为动态监测用像素结构B;

动态监测用像素结构B包括对数光电转换部分;对数光电转换部分包括光电二极管PD、反向放大器和MOS管M1;光电二极管PD的阳极接地,光电二极管PD的阴极连接反向放大器的输入端,反向放大器的输出端连接MOS管M1的栅极,MOS管M1的源极连接光电二极管PD的阴极;

动态监测用像素结构B还包括源极电压跟随电路缓冲电路部分;源极电压跟随电路缓冲电路部分包括MOS管M2和MOS管M3;MOS管M2的栅极连接到MOS管M1的栅极与反向放大器的输出端之间,MOS管M2的源极连接MOS管M3的漏极,MOS管M3的源极接地,MOS管M3的栅极接入动态监测用像素控制信号SX_Di;VDVS电压信号从MOS管M2的源极与MOS管M3的漏极之间输出;位于同一列的多个动态监测用像素结构B输出的VDVS电压信号通过同一条VDVS信号线输入动态监测模块(2)的输入端。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗图像传感器,其特征在于,动态监测模块(2)包括多个动态监测单元;每一个动态监测单元包括减法器电路(21)、比较器电路(22)、差分判断电路(23)和活跃度判断电路(24);减法器电路(21)、比较器电路(22)、差分判断电路(23)和活跃度判断电路(24)顺次连接,减法器电路(21)的输入端接收电压信号VDVS,活跃度判断电路的输出端输出模式切换使能信号LP_EN,减法器电路(21)、比较器电路(22)、差分判断电路(23)和活跃度判断电路(24)分别接入对应的动态监测用时序控制信号C1。

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