[发明专利]二次电池和电子装置在审
| 申请号： | 202310631392.0 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116487527A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈宇圣;董佳丽 | 申请（专利权）人： | 宁德新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/133 | 分类号： | H01M4/133;H01M4/1393;H01M4/04;H01M10/0525;H01M10/054 |
| 代理公司： | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人： | 王康名;陈伟 |
| 地址： | 352100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 电子 装置 | ||
1.一种二次电池，其包括负极，所述负极包括集流体、负极活性材料层，所述负极活性材料层包括第一活性材料层和第二活性材料层，所述第一活性材料层设置于所述集流体和所述第二活性材料层之间，
所述第一活性材料层包括第一活性材料，所述第一活性材料的平均颗粒球形度SDa满足0.4≤SDa≤0.7，所述第一活性材料的Dv50a满足14μm≤Dv50a≤18μm，
所述第二活性材料层包括第二活性材料，所述第二活性材料的平均颗粒球形度SDb满足0.7≤SDb≤1，所述第二活性材料的Dv50b满足8μm≤Dv50b≤16μm。
2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，0.4≤SDa≤0.5，且15μm≤Dv50a≤18μm。
3.根据权利要求1所述的二次电池，其中，0.9≤SDb≤1，且8μm≤Dv50b≤10μm。
4.根据权利要求1所述的二次电池，其中，SDa＜SDb，Dv50b＜Dv50a。
5.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述第一活性材料层的孔隙率为Pa，所述第二活性材料层的孔隙率为Pb，其中，10％≤Pa≤20％，20％≤Pb≤40％。
6.根据权利要求5所述的二次电池，其中，13％≤Pa≤20％，25％≤Pb≤40％。
7.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述第一活性材料选自人造石墨，所述第二活性材料选自人造石墨。
8.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述负极活性材料层包括负极活性材料，所述负极活性材料的比表面积为0.8m2/g至3.0m2/g。
9.根据权利要求1所述的二次电池，其中，所述负极满足如下条件(i)至(iii)中的至少一者：
(i)采用XRD测试，所述负极活性材料层的004晶面衍射峰面积C004与110晶面衍射峰面积C110满足：12≤C004/C110≤18；
(ii)所述第一活性材料的振实密度为0.95g/cm3至1.2g/cm3，所述第二活性材料的振实密度为0.8g/cm3至1.05g/cm3；
(iii)所述负极活性材料层的压实密度为1.70g/cm3至1.80g/cm3。
10.一种电子装置，包括权利要求1至9中任一项所述的二次电池。
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