[发明专利]一种宽带、大功率、1dB的衰减器电路

权利要求书

1.一种宽带、大功率、1dB的衰减器电路，其特征在于，所述衰减器电路应用接地共面波导电路，位于电路板的顶层覆铜层和电阻膜层，所述电阻膜层电路的方阻为50欧姆，所述衰减器电路包括：输入电路、衰减电路和输出电路，所述衰减电路由输入电阻膜电路、T形结电路、对地电阻膜电路和输出电阻膜电路组成；其中，

所述输入电路的一端作为所述衰减器电路的输入端，所述输入电路的另一端与所述输入电阻膜电路的一端连接，所述输入电阻膜电路的另一端与所述T形结电路的第一端连接，所述T形结电路的第二端与所述对地电阻膜电路的一端连接，所述对地电阻膜电路的另一端通过多个沉铜孔与所述电路板的底层接地电路连接，所述T形结电路的第三端与所述输出电阻膜电路的一端连接，所述输出电阻膜电路的另一端与所述输出电路的一端连接，所述输出电路的另一端作为所述衰减器电路的输出端，所述输入电路与所述输出电路的结构相同；其中，

所述输入电阻膜电路和所述输出电阻膜电路的电阻值均为2.88欧姆，阻抗均为33欧姆，所述输入电阻膜电路的长度为所述输入电阻膜电路的宽度的0.4576倍，所述输出电阻膜电路的长度为所述输出电阻膜电路的宽度的0.4576倍；

所述对地电阻膜电路的对地电阻值为433.34欧姆，所述对地电阻膜电路中第一节阻抗变换电路的阻抗值为120欧姆，所述第一节阻抗变换电路的电阻膜长度为所述第一节阻抗变换电路的电阻膜宽度的7.66倍，所述对地电阻膜电路中第二节阻抗变换电路的阻抗值为73欧姆，所述第二节阻抗变换电路的电阻膜长度为所述第二节阻抗变换电路的电阻膜宽度的1倍。

2.根据权利要求1所述的宽带、大功率、1dB的衰减器电路，其特征在于，所述电路板的结构自上而下依次为顶层覆铜层、电阻膜层、介质层和底层覆铜层；其中，

所述顶层覆铜层的厚度和所述底层覆铜层的厚度相同，所述顶层覆铜层和所述底层覆铜层所采用的铜箔厚度大于或等于0.0178毫米；

所述介电常数小于10、损耗角正切值在10GHz小于0.003、介质厚度小于或等于1毫米；

所述电阻膜层的厚度大于或等于0.2微米。

3.根据权利要求1所述的宽带、大功率、1dB的衰减器电路，其特征在于，所述输入电路包括所述顶层覆铜层和所述电阻膜层两层结构；

所述输入电路由第一节电路和第二节电路组成，所述第一节电路的一端作为所述输入电路的一端，所述第一节电路的另一端与所述第二节电路的一端连接，所述第二节电路的另一端作为所述输入电路的另一端；

其中，所述第一节电路应用接地共面波导电路，所述第一节电路的输入阻抗和输出阻抗均为50欧姆，所述第一节电路的传输线长度大于1mm；

所述第二节电路应用锥形接地共面波导电路，所述第二节电路的输入阻抗为50欧姆，所述第二节电路的输出阻抗33欧姆，所述第二节电路的传输线长度小于0.5mm。

4.根据权利要求1所述的宽带、大功率、1dB的衰减器电路，其特征在于，所述输入电阻膜电路和所述输出电阻膜电路均由所述电路板顶层的电阻膜层构成，所述输入电阻膜电路和所述输出电阻膜电路均是串联电阻膜的电路；

所述输入电阻膜电路和所述输出电阻膜电路所承受的功率值不同，所述输入电阻膜电路和所述输出电阻膜电路均应用接地共面波导电路。

5.根据权利要求1所述的宽带、大功率、1dB的衰减器电路，其特征在于，所述T形结电路由所述电路板顶层的覆铜层和电阻膜层两层构成，所述T形结电路包括T形结、第一连接匹配电路和第二连接匹配电路；其中，所述T形结的第一端与所述第一连接匹配电路的一端连接，所述第一连接匹配电路的另一端作为所述T形结电路的第一端，所述T形结的第二端作为所述T形结电路的第二端，所述T形接的第三端与所述第二连接匹配电路的一端连接，所述第二连接匹配电路的另一端作为所述T形结电路的第三端；

所述第一连接匹配电路和所述第二连接匹配电路均为锥形接地共面波导电路；

T形结的第一端、第二端和第三端的阻抗均为120欧姆。