[发明专利]基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法在审
申请号: | 202310634282.X | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116595795A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 杨松贵;张亚宾 | 申请(专利权)人: | 南京维拓科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F16/2457;G06F16/903;G06T11/20;G06T11/60 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 杜依民 |
地址: | 210012 江苏省南京市雨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 triz 模型 标准 解解 工业 产品设计 创新 方法 | ||
1.一种基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:创建项目,描述具体问题;
创建项目,填写项目名称,文字描述工业设计中遇见的具体问题;
S2:绘制物场模型;
分析具体问题,找出具体问题中的物质,并找出两个物质之间的场,调用绘图模块,绘制物场模型;
S3:自动匹配问题类型;
问题类型包括作用效应不足、产生有害效应、模型不完整;
S4:选择标准解;
根据问题类型,获取问题类型的标准解,根据匹配度自动推荐标准解和对应的标准解案例;
S5:重新绘制健康物场模型;
S6:给出解决方案;
工程师根据绘制的健康物场模型和标准解,文字描述解决遇见的具体问题的解决方案。
2.如权利要求1所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:绘图模块上包括元素控件和文字编辑控件,所述元素控件包括物质控件、场控件、效应控件;
物质控件和场控件可以设置为图形元素;效应控件为线条元素,线条元素不同的类型,包括实线、虚线以及波浪线。
3.如权利要求2所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:绘制物场模型时,有效作用使用实线绘制;不足作用使用虚线绘制;有害作用使用波浪线绘制;并通过文字编辑控件编辑物场模型中物质的名称,场的名称以及作用的名称。
4.如权利要求2所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:步骤S3具体包括:
S31:匹配问题类型为模型不完整;
获取物场模型中的物质控件、场控件以及物质控件与场控件之间的效应控件,校验物场模型是否满足两个物质控件和一个场控件,并且物质与场有关系,即有效应控件,如果都满足,则物场模型完整,为正常模型;如果不满足,则匹配为模型不完整问题类型;
S32:匹配问题类型为作用效应不足;
获取正常模型中的效应控件的类型,类型为虚线,则匹配问题类型为作用效应不足;
S33:匹配问题类型为产生有害效应;
获取正常模型中的效应控件的类型,类型为波浪线,则匹配问题类型为产生有害效应。
5.如权利要求1所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:标准解存储在标准解数据库中,所述标准解包括问题类型、标准解的名称、标准解的描述以及标准解案例;标准解的描述包括标准解的方案原则;标准解的案例与标准解配置绑定。
6.如权利要求5所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:步骤S4包括:
S41:通过描述的具体问题的关键字,匹配标准解的描述与标准解的名称,通过匹配度进行排序;
根据问题类型,获取相同问题类型的标准解,循环比较具体问题与获取的标准解的名称的两个字符串中相同的字符串,以及循环比较具体问题与获取的标准解的描述的两个字符串中相同的字符串;匹配度为字符串的增量之和,有相同的字符串,则记录字符串,并记录增量为1,无相同的字符串,则记录增量为0,计算匹配度;根据标准解的名称和标准解的描述获取对应的标准解,计算的匹配度为标准解匹配度;通过标准解匹配度的大小进行排序;
S42:通过描述的具体问题的关键字,检索到匹配度高的标准解案例,通过标准解案例获取到标准解,反查出对应的标准解;
循环比较具体问题与获取的标准解的标准解案例的两个字符串中相同的字符串,有相同的字符串,则记录字符串,并记录增量为1,无相同的字符串,则记录增量为0,计算匹配度,根据标准解与案例的绑定关系,获取标准解,计算的匹配度为标准解案例匹配度;
S43:通过S41和S42中的两个匹配度相加,取前3个标准解作为优先推荐;
通过同一个标准解的标准解匹配度与标准解案例匹配度相加计算该标准解的综合匹配度,根据综合匹配度的大小对标准解进行降序排列,取排列的前3个标准解作为优先推荐进行展示。
7.如权利要求1所述的基于TRIZ物场模型与标准解解决工业产品设计创新的方法,其特征在于:健康物场模型是有效且完整的物场模型。
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