[发明专利]一种易于重稀土扩散的超高剩磁钕铁硼基体及其制备方法

权利要求书

1.一种易于重稀土扩散的超高剩磁钕铁硼基体，其特征在于，所述钕铁硼基体包括：Nd_xFe_yAl_nGa_lCu_mTi_qB_z，其中，

29wt.％≤x≤30.3wt.％；0.05wt.％≤n≤0.15wt.％；0.1wt.％≤l≤0.15wt.％；0.1wt.％≤m≤0.15wt.％；0.05wt.％≤q≤0.13wt.％；0.935wt.％≤z≤0.95wt.％；y＝100wt.％-x-n-l-m-q-z。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼基体，其特征在于，所述钕铁硼基体还包括：杂质元素；其中，

所述杂质元素为碳元素、氮元素或氧元素中的至少一种；

其中，所述碳元素的含量为200ppm-300ppm；

其中，所述氮元素的含量为50ppm-70ppm；

其中，所述氧元素的含量为300ppm-400ppm。

3.根据权利要求1所述的钕铁硼基体，其特征在于，所述钕铁硼基体的非磁性相呈连续性分布。

4.根据权利要求1所述的钕铁硼基体，其特征在于，所述钕铁硼基体的晶界宽度为2nm-6nm。

5.一种如权利要求1-4任一项所述钕铁硼基体的制备方法，步骤包括：将所述钕铁硼基体的原料依次经速凝熔炼、氢破处理、制粉处理、取向成型、烧结处理、机械加工、重稀土涂覆、扩散热处理以及时效处理后，即得所述钕铁硼基体；其特征在于，所述制粉处理采用的气流磨装置包括：第一主体(1)、以及固定地设置于所述第一主体(1)底部的第二主体(2)，所述第一主体(1)与所述第二主体(2)内设有相互连通的腔室；

其中，所述第一主体(1)的侧壁上均匀地设有若干侧喷嘴(11)，所述第二主体(2)的侧壁上均匀地设有若干辅喷嘴(21)，所述第二主体(2)的底部设有底喷嘴(22)，若干所述侧喷嘴(11)、若干所述辅喷嘴(21)以及所述底喷嘴(22)均连通所述腔室。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制粉处理中，所述辅喷嘴(21)使所述气流磨装置中各处气流压强相同。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制粉处理前，将氢破处理得到的粗粉与油酸酰胺混合；

所述制粉处理中，所述气流磨装置中的气体为氧含量低于3ppm且露点低于-51℃的氮气；

所述制粉处理得到的粉体的表面积平均粒度为2μm-3μm。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制粉处理中，所述气流磨装置中的粉体的质量浮动低于2kg，所述侧喷嘴(11)的喷射压力为0.55MPa-0.75MPa，所述底喷嘴(22)的喷射压力为0.4MPa-0.5MPa，所述辅喷嘴(21)的喷射压力为0.2MPa-0.3MPa。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制粉处理前，氢破处理得到的粗粉与油酸酰胺混合时的质量比为1000：(0.5-1.5)。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制粉处理得到的粉体的粒度为0.4μm-12μm，所述制粉处理得到的粉体的10％的粒度为1.7μm-2μm，所述制粉处理得到的粉体的90％的粒度为4μm-6.5μm。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述烧结处理包括：将取向成型得到的生坯以1℃/min-2℃/min升温至400℃，再升温至1040℃-1090℃进行烧结3h-5h后，冷却至700℃-900℃，再升温至1040℃-1090℃进行烧结5h-7h后，冷却至120℃以下。

12.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述重稀土涂覆包括：将重稀土以涂覆、溅射沉积或印刷涂覆中的至少一种方式附着至机械加工得到的基体的表面。