[发明专利]水冷装置和单晶炉在审
申请号: | 202310635809.0 | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116590793A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 宋少杰 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张蓉 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水冷 装置 单晶炉 | ||
1.一种水冷装置,应用于单晶炉内,包括水冷套,沿所述水冷套的轴向方向,所述水冷套包括相对的第一端和第二端,在所述水冷套位于所述单晶炉内时,所述第二端靠近所述单晶炉内的坩埚设置,其特征在于,
沿从所述第一端到所述第二端的方向,所述水冷套包括第一部分和第二部分,所述第一部分包括间隔设置的冷却区和非冷却区。
2.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述非冷却区设置有至少一个通孔。
3.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述冷却区的面积小于所述非冷却区的面积。
4.根据权利要求3所述的水冷装置,其特征在于,所述非冷却区的面积大于或等于所述第一部分的总面积的80%。
5.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,在所述水冷套的周向方向上,一个所述冷却区的周向长度小于一个所述非冷却区的周向长度。
6.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述冷却区的内表面设置有第一涂层,所述第一涂层的发射率小于0.3。
7.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述冷却区的侧壁上设置有沿所述水冷套的轴向方向延伸的第一冷却管道,所述第二部分的侧壁上设置有与所述第一冷却管道连通的第二冷却管道。
8.根据权利要求7所述的水冷装置,其特征在于,所述第二部分的侧壁中空以形成所述第二冷却管道。
9.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,第二部分的内表面设置有第二涂层,所述第二涂层的发射率大于0.8。
10.一种单晶炉,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的水冷装置。
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