[发明专利]一种3D异构可编程芯片供电网络的半导体器件及结构

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

控制电路，包括中央控制器；所述控制电路与功率转换电路耦接并控制所述功率转换电路；

所述功率转换电路，包括功率控制器，以及与其耦接的电压转换器，模数转换器；所述功率控制器被配置为控制所述电压转换器转换并输出电压；

所述模数转换器被配置为采集所述电压转换器的输出信号并将所述信号转换为编程参数；

所述功率控制器被配置为接收所述编程参数并将所述编程参数发送给所述中央控制器；

所述中央控制器被配置为根据所述编程参数来控制所述功率控制器。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电压转换器包括：DC-DC电压转换器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述功率转换电路还包括：

第一存储器，所述第一存储器被配置为存储所述中央控制器根据所述编程参数控制所述功率控制器的配置信息。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述功率转换电路还包括：

温度传感器，与所述模数转换器耦接；所述温度传感器被配置为获取所述功率转换电路的温度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述功率转换电路还包括：

输出电路，与所述电压转换器以及所述功率控制器耦接；其中，所述输出电路包括具有第一开关的第一端子，

以及第二端子；

所述功率控制器还被配置为控制所述第一开关的开启与关闭；

所述第一端子被配置为与其他所述功率转换电路互联；

所述第二端子被配置为与输出所述功率转换电路的输出耦接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一端子的数量大于或者等于1。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述控制电路还包括：

与所述中央控制器耦接的第二存储器以及第三存储器。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述控制电路还包括：

时钟电路，与所述中央控制器耦接，所述时钟电路被配置为产生时钟信号。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

时钟信号线，所述时钟信号线被配置为传输所述控制电路以及所述功率转换电路之间的所述时钟信号。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一半导体器件，包括上述权利要求1至9任意一项所述的半导体器件，以及包括多个第一键合触点的第一键合层；

第二半导体器件，包括逻辑电路，以及包括多个第二键合触点的第二键合层；其中，所述第一键合层和所述第二键合层键合；所述第一半导体器件通过所述第一键合触点以及所述第二键合触点为所述第二半导体器件供电。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一导电通道，贯穿所述第一半导体器件，所述第一导电通道与所述第二半导体器件耦接。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第三半导体器件，包括存储器装置，以及包括多个第三键合触点的第三键合层；其中，所述第三键合层与所述第二半导体器件的第四键合层键合，所述第四键合层与所述第二键合层位于相对设置的两个平面，所述第四键合层包括多个第四键合触点；所述第三半导体器件以及所述第二半导体器件通过所述第三键合触点以及所述第四键合触点耦接。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二导电通道，贯穿所述第二半导体器件，所述第二导电通道与所述第三半导体器件耦接。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

封装基板，所述封装基板与所述第一半导体器件耦接。