[发明专利]半导体器件的终端结构

权利要求书

1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：第一表面、第二表面、在所述第一表面与所述第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由所述第一表面向所述第二表面延伸设置的多个沟槽，所述第二半导体层为第一掺杂类型，所述第一半导体层为第二掺杂类型，所述第一半导体层为主结，所述沟槽位于所述第一半导体层沿第一方向上的一侧，所述沟槽设置有掺杂层，所述掺杂层为第二掺杂类型，至少部分所述沟槽的延伸尺寸沿所述第一方向呈逐渐减小的趋势；

其中，所述沟槽包括子沟槽，同一所述沟槽中相邻两个所述子沟槽中，靠近所述第一表面的子沟槽沿所述第一方向的尺寸大于靠近所述第二表面的子沟槽沿所述第一方向的尺寸，沿所述第一表面至所述第二表面的方向上，各所述沟槽内第一级子沟槽至第N级子沟槽依次分布，至少部分相邻两个所述沟槽中靠近所述主结的一者包括M个子沟槽，另一者包括M-1个子沟槽，所述第一方向为所述主结指向所述沟槽的方向，N≥1，且M≥2。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，与所述主结相邻的所述沟槽与所述主结抵接设置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，多个所述沟槽中的至少部分所述沟槽等间距设置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，相邻两个所述沟槽之间设有间距，至少部分所述间距沿所述第一方向呈逐渐增大的趋势。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述掺杂层至少位于所述沟槽靠近所述第二表面的一端。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，至少部分所述沟槽中所述掺杂层内的掺杂浓度沿所述第一方向呈逐渐减小的趋势。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，靠近所述主结的部分所述沟槽与所述第一表面之间的距离大于或等于所述主结与所述第一表面之间的距离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，包括第N级所述子沟槽的所述沟槽的数量包括多个，第N级所述子沟槽的至少部分所述沟槽与所述第一表面之间的距离沿所述第一方向呈逐渐减小的趋势。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，包括第N级所述子沟槽的所述沟槽的数量包括多个，第N级所述子沟槽的至少部分所述沟槽与所述第一表面之间的距离均相同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，还包括掺杂部，所述掺杂部由所述第一表面向所述第二表面延伸设置，所述掺杂部为第二掺杂类型，所述掺杂部位于所述沟槽远离所述主结的一侧。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述掺杂部的数量为多个，至少部分所述掺杂部的延伸尺寸沿所述第一方向呈逐渐减小的趋势。