[发明专利]一种HEMT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括：

衬底层；

外延层，所述外延层位于所述衬底层上，所述外延层包括成核层，所述成核层与所述衬底层接触；

源电极区和漏电极区，所述源电极区和所述漏电极区位于所述外延层上方的两侧；其中，所述衬底层与所述漏电极区垂直对应的区域至少被部分去除，以形成与所述漏电极区垂直对应的缺口。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述漏电极区设置有图形化得到的空白区域，所述空白区域贯通所述外延层并延伸至所述缺口。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，所述空白区域沿平行于所述源电极区和所述漏电极区连线方向的栅宽方向的两端的所述漏电极区的宽度均大于5微米。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件还包括：

欧姆金属，所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；

钝化层，所述钝化层覆盖于所述外延层和所述欧姆金属上；

栅电极区，所述栅电极区位于所述源电极区和所述漏电极区之间；

栅金属，所述栅金属位于所述栅电极区上方。

5.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述衬底层为低阻硅衬底。

6.一种HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1-5中任意一项所述的HEMT器件，所述制备方法包括：提供衬底层，于所述衬底层的表面生长外延层；

在所述外延层的表面两侧分别形成源电极区和漏电极区，所述源电极区和漏电极区均与所述外延层接触并形成欧姆接触；

图形化所述漏电极区，形成所述漏电极区内的空白区域，所述空白区域内显露出所述外延层的部分表面；

对所述空白区域内显露出的所述外延层进行刻蚀，以显露出所述衬底层；

对所述空白区域内显露出的所述衬底层进行刻蚀，使所述空白区域延伸至所述衬底层内的预设深度；

将至此形成的所述HEMT器件键合至键合衬底上；

对所述衬底层远离所述键合衬底的表面进行减薄，减薄至所述空白区域贯穿所述衬底层；

对所述键合衬底进行去键合。

7.根据权利要求6所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述外延层、所述源电极区和所述漏电极区的表面沉积钝化层；

刻蚀在所述源电极区和漏电极区之间的钝化层以形成条形栅槽，在所述栅槽上设置栅金属，形成栅电极区。

8.根据权利要求7所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述源电极区和/或所述漏电极区沿平行于所述源电极区和所述漏电极区连线方向的栅宽方向的宽度为20微米-500微米；和/或所述源电极区和/或所述漏电极区沿平行于所述衬底层表面且垂直于所述源电极区和所述漏电极区连线方向的栅长方向的长度为15微米-50微米。

9.根据权利要求6所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述空白区域在所述衬底层内延伸的深度为50微米-100微米。

10.根据权利要求6所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于，对所述衬底层远离所述键合衬底的表面进行减薄的方法为机械砂轮减薄、抛光减薄和/或化学腐蚀减薄。