[发明专利]一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：

制备单晶硒化铂薄膜化学气相沉积装置为：以直径大于等于9cm的石英管的石英管腔体作为反应腔体，一端为载气入口，另一端为载气出口，惰性气体作为载气；反应腔体内包含两个温区，气流上游为低温区，用石英片放置硒粉，气流下游为高温区，放置氧化硅衬底作为铂源基底，两个温区相通；

单晶硒化铂薄膜制备方法具体包括如下步骤：

S1、将盛有硒粉的石英片和放有生长有铂膜的氧化硅衬底分别放在低温区和高温区；

S2、抽出石英管腔体内的空气，再通入Ar气，该过程重复3遍；

S3、Ar气体持续通入石英管腔体，打开出气口，创造出低氧常压环境；

S4、设置两个温区的温控仪表，低温区以1-5小时上升到350℃后保持3-8小时，高温区以1-5小时上升到500～600℃后保持3-8小时，保持过程即为硒化过程；升温过程结束时，在石英管腔体内硒粉的起始挥发温度为300～500℃；

S5、等待反应结束，高温区温度降低到200℃以下时，停止通入Ar气；

S6、冷却至室温，取出样品。

2.如权利要求1所述的一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：石英管直径为9-12cm。

3.如权利要求1所述的一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：高温区和低温区之间的距离为5～10cm。

4.如权利要求1所述的一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：氧化硅衬底的SiO₂层厚度为200～1200nm，预先生长的铂膜厚度为2-15nm，氧化硅衬底和硒粉之间的距离为15-20cm，氧化硅衬底距离石英管底部约2cm，硒粉距离石英管底部约为0.3cm。

5.如权利要求1所述的一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：在S4中，高温区以1-5小时上升到560℃后保持3-8小时。