[发明专利]清洗后基板检测方法及检测装置在审
申请号: | 202310644908.5 | 申请日: | 2023-06-01 |
公开(公告)号: | CN116666246A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 任树朝;李晓艳 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N33/00 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 尤彩红 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 后基板 检测 方法 装置 | ||
本发明提供一种清洗后基板检测方法及检测装置,所述检测方法包括:提供若干清洗后的基板,在执行清洗时,采用夹持部件固定基板边缘;对基板边缘执行缺陷检测,获取基板边缘的初始缺陷数据,并输入产品数据库,初始缺陷数据包括缺陷在基板周向的位置角度数据;检索产品数据库中缺陷在基板周向的位置角度数据,并统计分析在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量大于或等于预设值,则判定夹持部件异常。本发明中,通过检索及统计分析在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量是否大于或等于预设值,从而可以较佳且快速地判断出因夹持部件异常所引起的缺陷,有利于提高对缺陷的管控能力,并以此减少良率损失。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种清洗后基板检测方法及检测装置。
背景技术
半导体相关制程的基板须经严格清洗,否则即使微量污染也会导致器件的良率损失,甚至器件的失效。
以硅片的制造过程为例,其主要制作过程包括单晶生长、滚磨、切片、倒角、研磨、腐蚀、背面处理、抛光、清洗、检测与包装等工艺。其中,抛光后的清洗是较为重要的一道清洗工艺,为保证其清洗质量,其采用清洗效果较佳的单片清洗工艺,并在清洗后对硅片进行外观检测以确认。
基于目前的缺陷检测设备(检测条件),对缺陷的管控还可进一步提高,以提高应对缺陷的效率,并减少良率损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种清洗后基板检测方法及检测装置,用于提高管控缺陷的效率并减少良率损失。
为解决上述技术问题,本发明提供的清洗后基板检测方法,包括:
提供若干清洗后的基板,在执行清洗时,采用夹持部件固定所述基板边缘;
对所述基板边缘执行缺陷检测,获取所述基板边缘的初始缺陷数据,并输入产品数据库,所述初始缺陷数据包括缺陷在基板周向的位置角度数据;
基于所述基板的初始缺陷数据,检索所述产品数据库中缺陷在基板周向的位置角度数据,并统计分析在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量是否大于或等于预设值,若是,则判定所述夹持部件异常。
可选的,所述基板为执行抛光工艺后的硅片。
可选的,在执行清洗前,对所述基板的方向角进行对齐至一预设位置,再采用所述夹持部件固定所述基板边缘。
可选的,所述基板的初始缺陷信息还包括缺陷的形貌数据及尺寸数据。
可选的,所述基板具有相对的第一面及第二面,所述基板的初始缺陷信息包括所述第一面边缘、第二面边缘及侧面的缺陷信息。
可选的,在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量大于或等于预设数据后,还比对缺陷的位置角度数据相符的基板的形貌数据及尺寸数据是否相符,若是,则判定所述夹持部件异常,若否,则初步判定所述夹持部件正常。
可选的,在检索所述产品数据库前,基于缺陷的形貌数据和/或尺寸数据,对所述产品数据库中的缺陷进行细化分类,再分别在所述细化分类中比对缺陷的位置角度数据。
可选的,所述判定周期包括最近生产的预设数量的基板。
可选的,所述预设数量为20~30,所述预设值为2~5。
基于本发明的另一方面,还提供一种清洗后基板检测装置,包括:
缺陷获取模块,用于对清洗后的基板边缘执行缺陷检测,并获取所述基板边缘的初始缺陷数据,其包括缺陷在基板周向的位置角度数据;
数据存储模块,用于存储所述基板的产品信息及所述初始缺陷数据;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造