[发明专利]一种跨阻放大器及光接收机在审
申请号: | 202310649851.8 | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116566344A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 何进;曹志远;徐霄龙;石德辉 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F3/08;H03F1/42;H03F1/32;H04B10/69 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 430000*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 接收机 | ||
1.一种跨阻放大器,其特征在于,包括:后置电路和跨阻电路;
所述后置电路的工作带宽低于所述跨阻放大器的目标带宽;
所述跨阻电路的工作带宽高于所述跨阻放大器的目标带宽;
所述跨阻电路与所述后置电路连接;以及
所述跨阻放大器通过所述跨阻电路接入差分光电流信号,并经过所述后置电路输出目标带宽的差分电压信号。
2.根据权利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于,所述跨阻电路包括:
输入电路,所述输入电路用于将接入的差分光电流信号转化为差分电压信号;
放大电路,所述放大电路与所述输入电路连接,所述放大电路用于将所述输入电路转化的差分电压信号放大后输出至所述后置电路。
3.根据权利要求2所述的跨阻放大器,其特征在于:
所述输入电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一MOS管、第二MOS管和两个第一电阻;
所述第一晶体管的基极和所述第二晶体管的基极均接入第一偏置电压;
所述第一晶体管的集电极和所述第二晶体管的集电极分别经两个所述第一电阻连接电源电压;
所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极接入差分输入光电流信号,且分别与所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极连接;
所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极均接入第二偏置电压,所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极均接地。
4.根据权利要求3所述的跨阻放大器,其特征在于:所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NPN型晶体管。
5.根据权利要求3所述的跨阻放大器,其特征在于:所述第一MOS管和所述第二MOS管为N型MOS管。
6.根据权利要求3所述的跨阻放大器,其特征在于:
所述放大电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、两个第二电阻和两个反馈电阻;
所述第三晶体管的基极连接所述第一晶体管的集电极,所述第四晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极,所述第三晶体管的集电极和所述第四晶体管的集电极分别经两个所述第二电阻连接电源电压;
所述第三晶体管的发射极和所述第四晶体管的发射极均连接所述第三MOS管的漏极;
所述第五晶体管的基极和所述第六晶体管的基极分别连接所述第三晶体管的集电极和所述第四晶体管的集电极;
所述第五晶体管的集电极和所述第六晶体管的集电极均连接电源电压;
所述第五晶体管的发射极和所述第六晶体管的发射极分别经两个所述反馈电阻连接所述第三晶体管的基极和所述第四晶体管的基极,且分别与所述第四MOS管的漏极和所述第五MOS管的漏极连接;
所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极均连接第二偏置电压;
所述第三MOS管的源极、所述第四MOS管的源极和所述第五MOS管的栅极的源极接地;
所述第五晶体管的发射极和所述第六晶体管的发射极输出差分电压信号。
7.根据权利要求6所述的跨阻放大器,其特征在于:所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为NPN型晶体管。
8.根据权利要求6所述的跨阻放大器,其特征在于:所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管均为N型MOS管。
9.根据权利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于:所述后置电路为可变增益放大电路。
10.一种光接收机,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的跨阻放大器。
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