[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，

所述防护膜的厚度为200nm以下，

所述防护膜包含碳纳米管片，

所述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，

所述捆的直径为100nm以下，

所述捆在所述碳纳米管片中进行面内取向，

所述防护膜满足下述条件(1)，

所述防护膜具有50％以上的透射率，

(1)对于来源于所述碳纳米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm^-1附近的峰，使用以下式子定义的、所述碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与所述碳纳米管片的面内方向的峰强度之比R_B为0.40以上，

上述式子中，和表示所述碳纳米管片的膜厚方向的衍射强度，和表示所述碳纳米管片的面内方向的衍射强度，g的值不限为2.7nm^-1或2.2nm^-1，分别使用峰位置成为最大时的g的值、以及在与该衍射峰不重叠的位置能够减去成为基线的强度的g的值。

2.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，所述碳纳米管的管直径为0.8nm以上6nm以下。

3.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，所述碳纳米管片在面方向具有由所述捆形成的网状结构。

4.根据权利要求1所述的曝光用防护膜，其进一步包含与所述碳纳米管片相接的保护层。

5.根据权利要求4所述的曝光用防护膜，所述保护层包含选自由SiO_x、Si_aN_b、SiON、Y₂O₃、YN、Mo、Ru、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、B₄C、SiC和Rh所组成的组中的1种以上，其中，SiO_x中x≤2，Si_aN_b中a/b为0.7～1.5。

6.一种防护膜组件，其具有：

权利要求1～5中任一项所述的曝光用防护膜、以及

支撑所述防护膜的支撑框。

7.一种防护膜，其包含碳纳米管片，所述碳纳米管片中，

碳纳米管的直径为0.8nm以上6nm以下，

碳纳米管的长度为10μm以上10cm以下，

碳纳米管中的碳的含量为98质量％以上，

所述防护膜满足下述条件(1)，

所述防护膜具有50％以上的透射率，

(1)对于来源于所述碳纳米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm^-1附近的峰，使用以下式子定义的、所述碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与所述碳纳米管片的面向方向的峰强度之比R_B为0.40以上，

上述式子中，和表示所述碳纳米管片的膜厚方向的衍射强度，和表示所述碳纳米管片的面内方向的衍射强度，g的值不限为2.7nm^-1或2.2nm^-1，分别使用峰位置成为最大时的g的值、以及在与该衍射峰不重叠的位置能够减去成为基线的强度的g的值。

8.根据权利要求7所述的防护膜，所述碳纳米管的长度相对于直径之比即长度/直径为1×10⁴以上1×10⁸以下。

9.根据权利要求7所述的防护膜，其进一步包含与碳纳米管片相接的保护层。