[发明专利]PCB背钻方法、控制器及设备

权利要求书

1.一种PCB背钻方法，其特征在于，包括：

获取待加工PCB对应的PCB背钻请求，所述PCB背钻请求包括待加工通孔参数、待加工PCB参数和目标半固化片对应的半固化片参数；

基于所述待加工通孔参数、所述待加工PCB参数和所述半固化片参数，确定所述目标半固化片对应的目标厚度；

基于所述目标厚度和所述待加工PCB参数，在所述待加工PCB上所述待加工通孔参数对应的待加工通孔上进行背钻，得到目标背钻通孔。

2.如权利要求1所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述基于所述待加工通孔参数、所述待加工PCB参数和所述半固化片参数，确定所述目标半固化片对应的目标厚度，包括：

基于所述待加工通孔参数和所述半固化片参数，确定局部半固化片流动区域；

基于所述半固化片参数和所述待加工PCB参数，确定所述局部半固化片流动区域内所述目标半固化片对应的目标厚度。

3.如权利要求2所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述待加工通孔参数包括待加工通孔坐标；所述半固化片参数包括半固化片流动系数；

所述基于所述待加工通孔参数和所述半固化片参数，确定局部半固化片流动区域，包括：

基于所述半固化片流动系数，确定目标流动面积；

基于所述待加工通孔坐标和所述目标流动面积，确定以所述待加工通孔坐标为中心的所述局部半固化片流动区域。

4.如权利要求2所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述基于所述半固化片参数和所述待加工PCB参数，确定所述局部半固化片流动区域内所述目标半固化片对应的目标厚度：

基于所述待加工PCB参数，确定所述局部半固化片流动区域内每一层PCB板的目标残铜率；

基于半固化片参数、所述待加工PCB参数和所述目标残铜率，确定所述局部半固化片流动区域内所述目标半固化片对应的目标厚度。

5.如权利要求4所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述半固化片参数包括初始半固化片厚度；所述待加工PCB参数包括初始PCB厚度和每一金属层厚度；

所述基于半固化片参数、所述待加工PCB参数和所述目标残铜率，确定所述局部半固化片流动区域内所述目标半固化片对应的目标厚度，包括：

检测所述待加工PCB对应的实际PCB厚度；

基于所述实际PCB厚度和所述初始PCB厚度，确定第一计算参数；

基于所述目标半固化片中每一金属层对应的金属层厚度和目标残铜率，确定第二计算参数；

基于所述初始半固化片厚度、所述第一计算参数和所述第二计算参数，确定所述待加工PCB中所述目标半固化片对应的所述目标厚度。

6.如权利要求5所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述基于所述实际PCB厚度和所述初始PCB厚度，确定第一计算参数，包括：根据所述实际PCB厚度和所述初始PCB厚度，确定厚度差值，将所述厚度差值与所述初始PCB厚度之间的商值确定为所述第一计算参数。

7.如权利要求5所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述基于所述目标半固化片中每一金属层对应的金属层厚度和目标残铜率，确定第二计算参数，包括：

根据所述目标半固化片中每一金属层对应的金属层厚度和目标残铜率，确定每一金属层对应的实际金属厚度；

将相邻两层所述金属层对应的实际金属厚度之和确定为第一目标参数，与所有所述金属层对应的实际金属厚度之和确定为第二目标参数，将所述第一目标参数与所述第二目标参数的商值，确定为第二计算参数。

8.如权利要求1所述的PCB背钻方法，其特征在于，所述基于所述目标厚度和所述待加工PCB参数，在所述待加工PCB上所述待加工通孔参数对应的待加工通孔上进行背钻，得到目标背钻通孔，包括：

基于所述目标厚度和所述待加工PCB参数，确定背钻深度；

基于所述背钻深度，控制钻孔设备在所述待加工PCB的待加工通孔上进行背钻，得到目标背钻通孔。