[发明专利]一种宽带超低减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种宽带超低减反射膜的制备方法，其特征在于，包括：

S1、将基板放入真空室内，对真空室抽真空，当真空度为1×10^-1～5×10^-2Pa时，对基板进行烘烤，烘烤温度为220～300℃，烘烤时间不少于1小时；

S2、当真空度达到6×10^-4～9×10^-4Pa时，采用离子源对基板进行预清洁；

S3、开启挡板前将SiO₂膜料和Ti₃O₅膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在预清洁后的基板上利用SiO₂膜料和Ti₃O₅膜料交替镀膜；

S4、开启挡板前将MgF₂膜料和最后一层SiO₂膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在前层材料上进行MgF₂膜料的镀膜，然后加镀SiO₂膜料，制备得到宽带超低减反射膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在S2步骤中，预清洁的条件为：设定Beam电压600～800V，电流500～800mA，ACC电压400～800V，中和电流7.5-12A充氩气量5Sccm～20Sccm，充氧气量30～70Sccm，清洁时间为300S～600S。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，对SiO₂膜料进行预熔的过程，包括：

将电子枪束流从0逐渐增加到200～260毫安，上升时间为10～20秒，保持时间为10～20秒；

将电子枪束流从200～260毫安逐渐降低到130～150毫安，降低时间为10～20秒，保持时间5～10秒形成蒸汽分子，蒸汽分子的蒸发速率设定为2～2.5A/S。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，打开挡板后利用SiO₂膜料进行镀膜的过程，包括：

预熔完成后打开挡板，让蒸汽分子附着在前层材料上，蒸汽分子的蒸发速率设定为4～6A/S；

在220～300℃温度下，对附着蒸汽分子的前层材料进行烘烤，并使用射频源辅助镀膜，设定Beam电压900～1150V，Beam电流750～950mA，ACC电压400～600V，中和极电流8～16A，充氩气量5～15Sccm，充氧气量40～70Sccm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，对Ti₃O₅膜料进行预熔的过程，包括：

将电子枪束流从0逐渐增加到200～300毫安，上升时间为10～20秒，保持时间为10～20秒；

将电子枪束流从200～300毫安逐渐增加到350～500毫安，上升时间为10～20秒，保持时间为10～20秒；

将电子枪束流从350-500毫安逐渐降低到320-450毫安，降低时间为10～20秒，保持时间5～10秒形成蒸汽分子，蒸汽分子的蒸发速率设定为1.5～2A/S。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，打开挡板后利用Ti₃O₅膜料进行镀膜的过程，包括：

预熔完成后打开挡板，让蒸汽分子附着在前层材料上，蒸汽分子的蒸发速率设定为3～4A/S；

在220～300℃温度下，对附着蒸汽分子的基底材料进行烘烤，并使用射频源辅助镀膜，设定Beam电压1000～1200V，Beam电流900～1100mA，ACC电压600～800V，中和极电流12～18A，充氩气量5～20Sccm，充氧气量40～70Sccm。