[发明专利]一种功率半导体模块及功率半导体模块的封装方法

说明书

本申请是关于一种功率半导体模块及功率半导体模块的封装方法，功率半导体模块包括：塑封料；金属陶瓷基板；其中，所述金属陶瓷基板包括第一金属表面，所述第一金属表面包括第一区域和区别于所述第一区域的第二区域；所述第一区域设置有第一沟槽和至少一个部件，所述第一沟槽用于在所述第一金属表面形成满足电气隔离的导电线路，所述导电线路与所述至少一个部件连通；其中，所述第二区域中的至少部分区域具有目标特征，所述目标特征采用预设处理方式处理得到；通过本申请降低了出现分层现象的概率，提高了功率半导体模块的稳定性。

技术领域

本申请涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体模块及功率半导体模块的封装方法。

背景技术

功率半导体模块一般包括芯片、端子、金属陶瓷基板、塑封料、金属线等部件，其中，塑封料用于对其它部件进行塑封。

而发明人在研究中发现，由于金属陶瓷基板和塑封料的热膨胀系数差异较大，在塑封过程中由于塑封料热固化冷却或塑封温度发生剧烈变化会导致金属陶瓷基板和塑封料的界面产生应力，从而使得金属陶瓷基板和塑封料之间很容易出现分层现象，使得功率半导体模块的稳定性差。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种功率半导体模块及功率半导体模块的封装方法，以降低金属陶瓷基板与塑封料之间出现分层现象的概率，提高功率半导体模块的稳定性。

本申请第一方面提供了一种功率半导体模块，包括：

塑封料；

金属陶瓷基板；

其中，所述金属陶瓷基板包括第一金属表面，所述第一金属表面包括第一区域和区别于所述第一区域的第二区域；所述第一区域设置有第一沟槽和至少一个部件，所述第一沟槽用于在所述第一金属表面形成满足电气隔离的导电线路，所述导电线路与所述至少一个部件连通；

其中，所述第二区域中的至少部分区域具有目标特征，所述目标特征采用预设处理方式处理得到。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式下，所述第二区域的至少部分区域具有目标特征，包括：所述第二区域的至少部分区域具有至少一条凹槽，其中，所述凹槽用于容纳所述塑封料；

或，所述第二区域的至少部分区域具有至少一个第二沟槽，其中，所述第二沟槽用于容纳所述塑封料。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式下，当在所述至少部分区域形成至少两条凹槽时，所述至少两条凹槽呈平行设置和/或交叉设置。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式下，所述金属陶瓷基板包括第一金属层，所述第一金属层具有所述第一金属表面；

所述第一金属层具有第一厚度；

其中，所述凹槽具有第一深度，所述第一深度小于或等于所述第一厚度。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式下，所述第一沟槽采用所述预设处理方式且具有第一深度；所述第二沟槽具有第二深度；

所述第二深度小于或等于所述第一深度。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式下，所述第二区域的至少部分区域具有目标特征，包括：所述第二区域的至少部分区域具有第一粗糙度；

其中，所述第二区域的所述至少部分区域在采用所述预设处理方式处理前具有第二粗糙度；

所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度。

本申请第二方面提供了一种功率半导体模块的封装方法，包括：