[发明专利]一种NiB2 在审
申请号: | 202310660282.7 | 申请日: | 2023-06-06 |
公开(公告)号: | CN116589282A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 刘福广;黄修喜;许有海;常哲;李勇;刘国刚;杨小金;米紫昊;王艳松;杨二娟;尚君明;张忠伟;刘增瑞;陆遥;韩天鹏 | 申请(专利权)人: | 西安热工研究院有限公司 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/65;C04B35/622;F16L58/04 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 王献茹 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nib base sub | ||
1.一种NiB2化合物的制备方法,其特征在于,包括步骤:
称取:称量所需的镍粉和硼粉作为反应原料,其中,镍粉和硼粉的摩尔比为1:(2.2-2.5);
研磨:将所述反应原料在惰性气体的氛围下研磨成镍粉和硼粉的混合粉;压坯成型:将经研磨处理后的所述混合粉填充到坩埚中,在预设压力下进行压坯成型处理得到坯料;
烧结:将所述坯料放入烧结炉中进行烧结处理,得到NiB2化合物。
2.根据权利要求1所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述将所述坯料放入烧结炉中进行烧结处理,包括:将盛放有所述坯料的坩埚放入等离子活化烧结炉中进行等离子活化烧结处理;
所述等离子活化烧结处理的工艺条件为:先逐渐升温至300℃-500℃,再保温0.8h-1.2h,随后逐渐升温至850℃-1200℃,再保温0.5h-5h;在升温和保温的过程中,烧结压力介于150MPa-300MPa之间。
3.根据权利要求2所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,先以第一预设升温速率逐渐升温至300℃-500℃,随后以第二预设升温速率逐渐升温至850℃-1200℃,其中,第一预设升温速率介于80℃/h-120℃/h,第二预设升温速率介于140℃/h-160℃/h。
4.根据权利要求1所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述将所述反应原料在惰性气体的氛围下研磨成镍粉和硼粉的混合粉,包括:将所述反应原料放入球磨罐中,对所述球磨罐抽真空并充入惰性气体;将盛放有所述反应原料的所述球磨罐放入球磨机中球磨,其中,所述球磨的时间介于5h-120h。
5.根据权利要求4所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述对所述球磨罐抽真空的真空度≤10-1Pa;所述惰性气体的纯度≥99.9%。
6.根据权利要求1所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。
7.根据权利要求1所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述压坯成型步骤中,所述预设压力的取值范围介于50MPa-500MPa之间。
8.根据权利要求1所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述镍粉和所述硼粉的纯度均≥99%。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的NiB2化合物的制备方法,其特征在于,所述将所述坯料放入烧结炉中进行烧结处理,得到NiB2化合物的步骤之后,还包括:冷却:将NiB2化合物随烧结炉冷却。
10.一种NiB2化合物的应用,其特征在于,应用权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到NiB2化合物,所述NiB2化合物涂敷于管道的内表面。
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