[发明专利]声表面波滤波器以及多工器

权利要求书

1.一种声表面波滤波器，具备：

由钽酸锂构成的压电层，旋转Y切割角为θ°；

支承基板，由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁金刚石之中的任一种、或者以其为主成分的材料构成；

氧化硅膜，配置在所述支承基板与所述压电层之间；以及

IDT电极，形成在所述压电层上，

将构成所述IDT电极的一对梳状电极的重复周期设为波长λ，其单位为μm，将所述一对梳状电极的膜厚设为T_IDT，其单位为μm，将所述IDT电极的比重设为ρ，其单位为g/cm³，将所述一对梳状电极的电极占空比设为D，将所述压电层的厚度设为T_LT，其单位为μm，将所述氧化硅膜的膜厚设为T_VL，其单位为μm，将第1旋转Y切割角θ_B规定为以下的式1，第1旋转Y切割角θ_B的单位为°，

[数学式1]

此时，所述压电层的旋转Y切割角θ满足以下的式2的关系，旋转Y切割角θ的单位为°，

[数学式2]

θ_B-4≤θ≤θ_B+4

(式2)。

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其中，

所述声表面波滤波器具有由所述压电层以及所述IDT电极所构成的串联臂谐振器以及并联臂谐振器构成的梯型的滤波器构造。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其中，

所述声表面波滤波器具有在弹性波传播方向上排列配置了由所述压电层以及所述IDT电极构成的多个弹性波谐振器的纵向耦合型的滤波器构造。

4.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其中，

所述氧化硅膜是以二氧化硅为主成分的膜。

5.一种多工器，具有公共端子、第一输入输出端子以及第二输入输出端子，

所述多工器具备：

权利要求1～4中的任一项所述的声表面波滤波器，连接在所述公共端子与所述第一输入输出端子之间；以及

低频侧滤波器，连接在所述公共端子与所述第二输入输出端子之间，具有比所述声表面波滤波器的通带更靠低频侧的通带。

6.根据权利要求5所述的多工器，其中，

所述声表面波滤波器的通带为长期演进LTE的Band41的频带，

所述低频侧滤波器的通带为所述LTE的Band25的频带。