[发明专利]一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法

权利要求书

1.一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法，其特征在于在传统的CZTSSe太阳电池的制备结构（SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/ITO/Ni、Al）基础上，在前驱体内部掺入不同比例的Cd/Zn去获得前驱体溶液，之后在前驱膜表面引入原子层沉积生长的Al₂O₃。

2.根据权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe太阳电池制备方法，其特征在于Cd源来自于氯化镉、Al₂O₃层由ALD设备以三甲基铝作为铝源、H₂O作为氧源制备。

3.根据权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe太阳电池制备方法，其特征在于通过ALD沉积工艺所沉积的Al₂O₃原子层最佳厚度在0.1nm-10nm之间。

4.根据权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe太阳电池制备方法，其特征在于在前驱体溶液中掺杂Cu₂(Zn_1-xCd_x)Sn(S,Se)₄（x=0.05）氯化镉为最优解。

5.根据权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe太阳电池制备方法，其特征在于掺杂的金属元素最佳比例为0 .8≤Cu/(Zn+Sn)≤1 .0，1 .0≤（Zn+Cd）/Sn≤1 .3，0.02≤S/（S+Se）≤0.1。

6.根据权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe太阳电池制备方法，其特征在于掺杂Cu₂(Zn_1-xCd_x)Sn(S,Se)₄（x=0.05）氯化镉，沉积0.4nm-2nm厚度的Al₂O₃为最佳的Cd、Al混掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法。

7.权利要求书1所示的Cd、Al共掺的CZTSSe薄膜在太阳电池中的应用。