[发明专利]双模态谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种双模态谐振器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括半导体基底层、绝缘层及半导体器件层；

采用刻蚀工艺，于所述半导体器件层中形成通过间隙互相隔开的内谐振体、外谐振体、内谐振体驱动电极、内谐振体检测电极、外谐振体驱动电极及外谐振体检测电极；其中，所述外谐振体设置于所述内谐振体的外周且通过耦合部嵌套连接，所述内谐振体驱动电极、所述内谐振体检测电极、所述外谐振体驱动电极及所述外谐振体检测电极设置于所述外谐振体之内且相对环绕于所述内谐振体之外，所述内谐振体及所述外谐振体在其各自相邻的所述间隙处振动；

基于所述内谐振体及所述外谐振体各自外侧的所述间隙，采用湿法腐蚀法去除其各自下方的所述绝缘层，以释放所述内谐振体及所述外谐振体。

2.根据权利要求1所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于，形成所述内谐振体、所述外谐振体、所述内谐振体驱动电极、所述内谐振体检测电极、所述外谐振体驱动电极及所述外谐振体检测电极的方法包括：

于所述半导体器件层上涂覆第一光刻胶层，并进行图形化，得到图形化的第一光刻胶层，所述图形化的第一光刻胶层上形成有刻蚀窗口；

基于所述图形化的第一光刻胶层的所述刻蚀窗口刻蚀所述半导体器件层，形成所述内谐振体、所述外谐振体、所述内谐振体驱动电极、所述内谐振体检测电极、所述外谐振体驱动电极及所述外谐振体检测电极，其中所述刻蚀窗口下方刻蚀掉的所述半导体器件层所在区域形成为所述间隙；

去除所述图形化的第一光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于，释放所述内谐振体及所述外谐振体的方法包括：先释放所述外谐振体再释放所述内谐振体；或先释放所述内谐振体再释放所述外谐振体。

4.根据权利要求3所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于，先释放所述外谐振体再释放所述内谐振体的方法包括：

于所述半导体器件层表面及所述间隙中涂覆第二光刻胶层，并进行图形化，得到图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层裸露出所述外谐振体外侧的所述间隙；

基于所述外谐振体外侧的所述间隙采用湿法腐蚀液腐蚀所述外谐振体下方的所述绝缘层，以释放所述外谐振体；

去除所述图形化的第二光刻胶层；

于所述半导体器件层表面及所述间隙中涂覆第三光刻胶层，并进行图形化，得到图形化的第三光刻胶层，所述图形化的第三光刻胶层裸露出所述内谐振体外侧的所述间隙；

基于所述内谐振体外侧的所述间隙采用湿法腐蚀液腐蚀所述内谐振体下方的所述绝缘层，以释放所述内谐振体；

去除所述图形化的第三光刻胶层。

5.根据权利要求3所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于，先释放所述内谐振体再释放所述外谐振体的方法包括：

于所述半导体器件层表面及所述间隙中涂覆第二光刻胶层，并进行图形化，得到图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层裸露出所述内谐振体外侧的所述间隙；

基于所述内谐振体外侧的所述间隙采用湿法腐蚀液腐蚀所述内谐振体下方的所述绝缘层，以释放所述内谐振体；

去除所述图形化的第二光刻胶层；

于所述半导体器件层表面及所述间隙中涂覆第三光刻胶层，并进行图形化，得到图形化的第三光刻胶层，所述图形化的第三光刻胶层裸露出所述外谐振体外侧的所述间隙；

基于所述外谐振体外侧的所述间隙采用湿法腐蚀液腐蚀所述外谐振体下方的所述绝缘层，以释放所述外谐振体；

去除所述图形化的第三光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于：所述叠层结构为SOI结构。

7.根据权利要求1所述的双模态谐振器的制备方法，其特征在于：所述半导体基底层的厚度大于所述半导体器件层，所述半导体器件层的厚度大于所述绝缘层的厚度。