[发明专利]掩模版的制造方法及系统有效
申请号: | 202310720627.3 | 申请日: | 2023-06-16 |
公开(公告)号: | CN116466539B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 林岳明 | 申请(专利权)人: | 上海传芯半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 200000 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模版 制造 方法 系统 | ||
1.一种掩模版的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在一工艺机台上利用脉冲激光在掩模基板上进行脉冲激光沉积,以在所述掩模基板上形成所需的掩膜材料层,得到空白掩模版;
S2,在所述工艺机台上进一步采用所述脉冲激光对所述掩膜材料层进行激光直写,且所述脉冲激光在激光直写工艺中的脉冲宽度为微秒级、纳秒级、飞秒级或皮秒级,以在所述掩膜材料层中形成所需图案,得到掩模版;
其中,所述步骤S1包括循环执行以下子步骤:
S11,在所述工艺机台上采用所述脉冲激光,在所述掩模基板上进行脉冲激光沉积,以得到具有相应的掩膜材料层的空白掩模版;
S12,检测所述空白掩模版的性能是否达到目标;
S13,在检测到所述空白掩模版的性能未达标时,根据检测结果选择相应的激光表面处理方式,在所述工艺机台上对所述空白掩模版进行激光表面处理,以修整所述掩膜材料层的表面,或者去除所述掩膜材料层并修整所述掩模基板的表面;
其中,对所述空白掩模版进行激光表面处理包括以下三种方式之一:
第一种方式,采用第一激光进行激光去膜,以去除所述掩模基板上的相应厚度的膜层;
第二种方式,采用不同于所述第一激光的第二激光对所述掩模基板上的膜层表面进行激光抛光;
第三种方式,先采用所述第一激光进行激光去膜,后采用所述第二激光进行激光抛光;
且所述第一激光或所述第二激光为所述脉冲激光。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在执行步骤S1之前,还包括步骤S0,提供待废弃的掩模版,并在所述工艺机台上对所述待废弃的掩模版进行激光表面处理,以去除所述待废弃的掩模版的掩模基板上的膜层,得到所述掩模基板。
3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,对所述待废弃的掩模版进行激光表面处理的方式包括以下三种方式之一:
第一种方式,采用所述第一激光进行激光去膜,以去除所述掩模基板上的相应厚度的膜层;
第二种方式,采用所述第二激光对所述掩模基板上的膜层表面进行激光抛光;
第三种方式,先采用所述第一激光进行激光去膜,后采用所述第二激光进行激光抛光。
4.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,在所述进行激光表面处理的过程中,在所述工艺机台上在线对所述掩模基板上的膜层表面进行形貌检测,并根据表面形貌检测的结果在线调整所述激光表面处理的过程中的工艺参数。
5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在步骤S12中,检测所述空白掩模版基本结构的性能是否达到目标包括:检测所述掩膜材料层的厚度、表面平坦度以及所述空白掩模版的透射率和反射率中的至少一种性能指标是否达到目标。
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在步骤S12中检测到所述空白掩模版的性能未达标时,还调整脉冲激光沉积的工艺参数,以在步骤S13中的激光表面处理结束之后且需要再次执行步骤S11时,能在步骤S11中基于调整后的参数对激光表面处理后的空白掩模版执行相应的脉冲激光沉积工艺。
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