[发明专利]一种电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种电极材料的制备方法，其特征在于，所述电极材料为三元过渡金属氮化物电极材料，其制备方法包括以下步骤：

1)采用等离子清洗碳纸基体，得到基体A；

2)对基体A进行基体偏压自刻蚀，得到基体B；

3)对基体B的表面进行磁控溅射，得到电极材料；所述磁控溅射的靶材为Cr靶和过渡金属元素靶材；所述过渡金属元素选自V、Nb或Ti中的其中一种；所述磁控溅射的气氛为N₂和Ar。

2.根据权利要求1所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述等离子清洗采用电感耦合等离子体；所述等离子清洗的源功率为250W-300W；所述等离子清洗的高偏压电源功率为100W-150W；所述等离子清洗的气氛为CF₄和O₂。

3.根据权利要求2所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述CF₄的流量为

10sccm-15sccm；所述O₂的流量为15sccm-20sccm；所述O₂的压强为0.25Pa-0.5Pa。

4.根据权利要求1所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述基体偏压自刻蚀的真空腔室抽至1.0×10^-5Pa以下，Ar的流量为15sccm-20sccm，压强为0.1Pa-0.3Pa，基体负偏压为120V-150V，电流为0.6A-0.75A。

5.根据权利要求1所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射为脉冲反应磁控共溅射。

6.根据权利要求5所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述Cr靶材的电源功率为190W-220W，频率为100KHz-200KHz，占空比为5％-10％。

7.根据权利要求5所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述过渡金属元素靶材的功率为80-120W，频率为120-150KHz，占空比为5-8％。

8.根据权利要求1所述的一种电极材料的制备方法，其特征在于：所述Ar的流量为

40sccm-50sccm，所述N₂的流量为10sccm-20sccm，压强为2-3Pa，溅射时间为30min-60min，基体负偏压为50V-75V。