[发明专利]沟槽型MOS器件

权利要求书

1.一种沟槽型MOS器件，包括外延层以及与所述外延层匹配的电极，所述外延层内设置有栅槽，所述栅槽的槽底位于所述外延层的n型漂移区内，所述栅槽内设置有多晶硅栅，其特征在于：所述栅槽的槽底具有第一台阶结构，所述第一台阶结构是由所述槽底沿背离所述多晶硅栅的方向凹陷形成的，并且，所述n型漂移区内还设置有p型注入区，所述p型注入区沿所述器件的纵向与所述栅槽的槽底连接，且所述p型注入区具有与所述第一台阶结构仿形的第二台阶结构。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述第一台阶结构包括至少一个第一台阶，且所述第一台阶具有第一宽高比，所述第二台阶结构包括至少一个第二台阶，且所述第二台阶具有第二宽高比，在所述器件的纵向上，每一所述第二台阶与一所述第一台阶相邻接，且每一所述第二台阶的第二宽高比和与之邻接的所述第一台阶的第一宽高比相同。

3.根据权利要求2所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述第一宽高比和所述第二宽高比均为2∶1-5∶1。

4.根据权利要求2或3所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述第一台阶结构包括沿所述器件的纵向依次设置的多个第一台阶，多个所述第一台阶的多个第一宽高比沿所述器件的纵向梯度变化，所述第二台阶结构包括沿所述器件的纵向依次设置的多个第二台阶，多个所述第二台阶的多个第二宽高比沿所述器件的纵向梯度变化。

5.根据权利要求4所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：多个所述第一台阶的多个第一宽高比沿所述器件的纵向梯度减小；

优选的，多个所述第一台阶的宽度不同而高度相同，其中，所述第一台阶的宽度是沿所述器件的横向的尺寸，所述第一台阶的高度是沿所述器件的纵向的尺寸；

优选的，多个所述第二台阶的多个第二宽高比沿所述器件的纵向梯度减小；

优选的，多个所述第二台阶的宽度不同而高度相同，其中，所述第二台阶的宽度是沿所述器件的横向的尺寸，所述第二台阶的高度是沿所述器件的纵向的尺寸。

6.根据权利要求4所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述第二台阶的高度为所述n型漂移区厚度的1/100-1/50；

优选的，位于所述p型注入区底部的n型漂移区的厚度与位于所述栅槽四周的n型漂移区厚度之比为3/5-4/5；

优选的，位于所述p型注入区底部的n型漂移区的最小厚度为6μm。

7.根据权利要求4所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述第一台阶和所述第二台阶均为环形结构，多个所述第一台阶同轴设置，多个所述第二台阶同轴设置；

优选的，所述p型注入区沿所述器件的纵向形成的正投影区域与所述栅槽沿所述器件的纵向形成的正投影区域重合。

8.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述栅槽包括沿所述器件的纵向依次设置的一个第一栅槽和至少一个第二栅槽，所述第一栅槽的第一槽底位于所述n型漂移区，所述第二栅槽的槽口位于所述第一槽底或者位于与之邻接的另一第二栅槽的第二槽底，所述第一槽底与至少一个所述第二槽底连接形成所述第一台阶结构；

优选的，任意两个所述第二栅槽的深度相同而宽度不同；

优选的，多个所述第二栅槽的宽度沿所述器件的纵向梯度减小。

9.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述p型注入区于所述器件的纵向的总厚度为0.1-0.3μm。

10.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOS器件，其特征在于：所述p型注入区的注入能量为150-500Kev，剂量为5E14-5E15/cm²。