[发明专利]一种基于WOx 有效
| 申请号： | 202310739403.7 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116507195B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘雍;熊锐 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 余晓雪 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 wo base sub | ||
1.一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）采用物理气相沉积工艺在衬底上沉积导电薄膜作为下电极；
2）采用溅射工艺在步骤1）制得的下电极上沉积形成连续的WOx/YOy/WOx/YOy薄膜层，制备WOx/YOy双异质结结构作为模拟忆阻器的介质存储层；
3）采用物理气相沉积工艺在步骤2）制得的介质存储层上沉积导电薄膜作为上电极，得到基于WOx/YOy双异质结结构的模拟忆阻器。
2.根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤1）和步骤3）中，所述上电极为惰性金、铂、活性铜或钨导电薄膜；所述下电极为惰性金、铂、或活性铜导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述WOx薄膜的溅射源为钨靶材；YOy薄膜的溅射源为钇靶材；WOx和YOy薄膜均采用射频磁控溅射的方式进行沉积。
4.根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述对应WOx单层薄膜沉积时间为2分钟~5分钟；所述对应YOy单层薄膜沉积时间为0.4分钟~1分钟。
5. 根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述WOx薄膜射频溅射功率为50~200 瓦；所述YOy薄膜射频溅射功率为50~180瓦。
6. 根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述WOx薄膜沉积温度为150~350 ℃；所述YOy薄膜沉积温度为100~350℃。
7. 根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2）中，在沉积过程中同时通入氩气和氧气；所述WOx薄膜沉积过程氩气流速为20~40 sccm，氧气流速为5~20 sccm；所述YOy薄膜沉积过程氩气流速为10~30 sccm，氧气流速为5~20 sccm。
8.根据权利要求1所述的一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，所述下电极的厚度为80～150纳米；所述上电极的厚度为80～200纳米。
9.采用权利要求1~8中任一项所述的制备方法制得的基于WOx/YOy双异质结结构的模拟忆阻器。
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