[发明专利]一种中精抛一体化的硅片加工方法在审
| 申请号： | 202310753926.7 | 申请日： | 2023-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN116604407A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何加华 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B55/00 |
| 代理公司： | 上海港慧专利代理事务所(普通合伙) 31402 | 代理人： | 郭嘉莹 |
| 地址： | 201900 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中精抛 一体化 硅片 加工 方法 | ||
1.一种中精抛一体化的硅片加工方法，其特征在于：包括，
于一抛光机台上设置一抛光布，所述抛光布可用于中抛工艺和精抛工艺；
于所述抛光机台上设置经粗抛工艺处理后的硅片；
通过所述抛光机台对所述硅片进行所述中抛工艺和所述精抛工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：执行通过所述抛光机台对所述硅片进行所述中抛工艺和所述精抛工艺的步骤时，具体包括，
去除所述中抛工艺的收尾工艺；
对经过中抛工艺处理后的所述硅片进行水抛工艺；
对经过水抛工艺处理后的所述硅片进行精抛工艺。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：执行对经过中抛工艺处理后的所述硅片进行水抛工艺的步骤时，具体包括，
采用超纯水对所述硅片进行抛光处理，通过所述超纯水冲洗掉所述中抛处理后的中抛液残留；
于所述水抛工艺中不对所述硅片施加压力。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：执行对经过水抛工艺处理后的所述硅片进行精抛工艺的步骤时，具体包括，
提供一抛光毛刷；
于所述硅片完成所述精抛工艺后，对所述抛光布通过所述抛光毛刷进行刷洗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抛光布的压缩率为3.3±1.0％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抛光布的回弹率为74±1.5％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抛光布的绒毛层厚度为530±80μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抛光布的硬度为58±5°。
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