[发明专利]一种显示基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202310755476.5 | 申请日: | 2023-06-26 |
公开(公告)号: | CN116666399A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 杨涛;杨越 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/34 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李淑彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板、显示面板及显示装置,该显示基板包括:衬底基板;像素驱动层,位于衬底基板的第一侧,像素驱动层包括呈阵列分布的多个像素驱动电路,每个像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管,薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的本征半导体层和N掺杂半导体层;至少一个温度检测器,用于检测所在区域的温度,温度检测器包块至少一个温度检测单元,温度检测单元包括半导体部、电阻部、第一接线端子和第二接线端子,半导体部与本征半导体层同层设置,电阻部与N掺杂半导体层同层设置,电阻部在衬底基板上的正投影与半导体部在衬底基板上的正投影完全重叠。该显示基板能够探测工作环境温度,确保不同环境下的显示效果及信赖性。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
不同地区、不同季节以及不同用途的液晶显示面板的使用环境差异大,工作环境温度变化范围大,但是液晶显示面板由于液晶的自身特性以及薄膜晶体管器件的特性限制,液晶的响应时间受温度变化的影响大,同时薄膜晶体管的特性也受温度的影响,因此不同温度下最佳的驱动参数不同,采用一套固定参数存在与工作环境不匹配导致画面显示效果降低以及信赖性变差等问题。
发明内容
本发明提供了一种显示基板、显示面板及显示装置,上述显示基板能够探测工作环境温度,确保不同环境下的显示效果及信赖性。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示基板,包括:
衬底基板;
像素驱动层,位于所述衬底基板的一侧,所述像素驱动层包括呈阵列分布的多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,所述有源层包括层叠设置的本征半导体层和N掺杂半导体层,所述N掺杂半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区和位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的沟道区,所述源极与所述第一掺杂区连接,所述漏极与所述第二掺杂区连接;
至少一个温度检测器,用于检测所在区域的温度,所述温度检测器包括至少一个温度检测单元,所述温度检测单元包括半导体部、电阻部、第一接线端子和第二接线端子,所述半导体部与所述本征半导体层同层设置,所述电阻部与所述N掺杂半导体层同层设置,所述电阻部在所述衬底基板上的正投影与所述半导体部在所述衬底基板上的正投影完全重叠,所述第一接线端子和所述第二接线端子相互绝缘、且均与所述电阻部连接。
可选地,所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层和钝化层;
所述栅极位于所述衬底基板的一侧,所述栅绝缘层位于所述栅极背离所述衬底基板的一侧,所述本征半导体层位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述N掺杂半导体层位于所述本征半导体层背离所述栅绝缘层的一侧,所述源极和漏极位于所述N掺杂半导体层背离所述本征半导体层的一侧,所述钝化层位于所述源极和漏极背离所述N掺杂半导体层的一侧。
可选地,所述第一接线端子和所述第二接线端子与所述源极和所述漏极同层设置。
可选地,所述第一接线端子在所述衬底基板上的正投影与所述电阻部在所述衬底基板上的正投影的第一端存在交叠;
所述第二接线端子在所述衬底基板上的正投影与所述电阻部在所述衬底基板上的正投影的第二端存在交叠。
可选地,所述第一接线端子包括第一主体部和与所述第一主体部连接的至少两个第一分支部,所述第一主体部沿第一方向延伸,所述第一分支部沿第二方向延伸,至少所述第一分支部在所述衬底基板上的正投影与所述电阻部在所述衬底基板上的正投影存在交叠,所述第一方向与所述第二方向相交;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的