[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

对清洗制绒后的硅片正面和背面分别进行硼扩散、碱抛光，再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂层后退火并进行化学清洗；其特征在于，

在化学清洗的步骤之后再次对所述硅片进行退火并在所述硅片背面形成氧化膜层；

再在所述硅片正面沉积第一钝化膜层；

然后在所述硅片的正面及背面均沉积第二钝化膜层；

最后在所述硅片的正面及背面分别制备正面金属电极、背面金属电极后得到所述TOPCon太阳能电池；所述掺杂层为磷掺杂纳米晶体氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化膜层为氧化铟锡层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积所述掺杂层时所使用的方法为：在压力为1.2～2.5Torr，射频功率为40～65mW/cm²，温度为90～150℃的条件下使用PECVD设备进行沉积，所述掺杂层的厚度为30～150nm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片的正面及背面均沉积第二钝化膜层的步骤为：采用磁控溅射的方式进行沉积，靶材为氧化铟锡，温度为150～250℃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡中的氧化铟与氧化锡的质量分数的比例为9～10：1。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅片正面沉积的所述第二钝化膜层的厚度为90～110nm，所述硅片背面沉积的所述第二钝化膜层的厚度为120～140nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂层后退火的步骤中，退火的温度比在化学清洗的步骤之后再次对所述硅片进行退火的温度高50～400℃。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂层后退火的步骤中，退火所使用的设备为管式炉，退火温度为850～1000℃；在化学清洗的步骤之后再次对所述硅片进行退火的步骤中，退火所使用的设备为管式炉，退火温度为600～700℃。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氧化膜层为氧化硅层，所述氧化膜层的厚度为3～7nm。

10.一种利用权利要求1～9任意一项所述的制备方法制备得到的TOPCon太阳能电池。