[发明专利]一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法有效
申请号: | 202310769418.8 | 申请日: | 2023-06-28 |
公开(公告)号: | CN116504756B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 汪海燕;卢迪锋;李建恒;朱思坤 | 申请(专利权)人: | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/027;G03F9/00 |
代理公司: | 安徽凡谋有道知识产权代理事务所(普通合伙) 34307 | 代理人: | 司志红 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 栅极 氧化 对准 标记 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种栅极氧化层对准标记的装置,包括硅片(1),其特征在于:
所述硅片(1)的顶部依次设有氧化硅(2)、光致抗蚀剂(3)和金属层(4),所述金属层(4)的顶部设有栅极氧化层(5);
所述光致抗蚀剂(3)位于栅极氧化层(5)的左右两侧设有对准标记(8),所述光致抗蚀剂(3)位于栅极氧化层(5)的下方左右两侧设有用于防止金属层对对准标记(8)覆盖的挡板组件(6)。
2.根据权利要求1所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述光致抗蚀剂(3)位于对准标记(8)上设有叠加标记(7),所述叠加标记(7)的高度等于金属层(4)和光致抗蚀剂(3)之和。
3.根据权利要求2所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述叠加标记(7)的尺寸小于光致抗蚀剂(3)的尺寸。
4.根据权利要求2所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述挡板组件(6)包括E型挡条(61),所述E型挡条(61)分别设置在对准标记(8)之间,所述E型挡条(61)的高度等于金属层(4)的高度。
5.根据权利要求4所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述E型挡条(61)分别在对准标记(8)的左右两侧呈相背设置,所述E型挡条(61)内的两个水平端之间均与金属层(4)交错连接。
6.根据权利要求5所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述挡板组件(6)还包括L型挡条(62),所述L型挡条(62)分别设置在E型挡条(61)靠近对准标记(8)一侧,所述L型挡条(62)的垂直端与光致抗蚀剂(3)相平齐。
7.根据权利要求6所述的一种栅极氧化层对准标记的装置,其特征在于:所述L型挡条(62)的水平端靠近E型挡条(61)的一侧面和对准标记(8)的边缘界面相平齐。
8.一种应用于权利要求6-7任一项所述的栅极氧化层对准标记的装置的形成方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、先在硅片(1)上沉积氧化硅(2),然后在氧化硅(2)上再涂光致抗蚀剂(3),之后在光致抗蚀剂(3)上喷射金属层(4)过程中,通过两边的E型挡条(61)对金属层(4)内侧容纳所需要的金属层(4);
S2、当金属层(4)平铺在叠加标记(7)的顶端时,通过叠加标记(7)作为新的对准标记,之后通过光刻掩膜板移至在新的对准标记(8)进行显影,形成对准标记(8)图形,所述硅片(1)上温度保持在低温状态进行;
S3、当金属层(4)完全覆盖对准标记上,或者已向新的对准标记(8)也覆盖住,通过L型挡条(62)上未被覆盖的对准标记(8)可以进行对准;
S4、经曝光工艺,去除光致抗蚀剂(3)即可。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥安德科铭半导体科技有限公司,未经合肥安德科铭半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310769418.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。