[发明专利]一种翘曲晶圆应力消除方法

权利要求书

1.一种翘曲晶圆应力消除方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到晶圆的翘曲度；

步骤S2：根据晶圆的翘曲度选择粘附层和应力层的种类；

步骤S3：在晶圆的背面依次形成粘附层和应力层，使得粘附层和应力层形成的应力与晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；

步骤S4：器件工艺完成后，对粘附层和应力层进行第一段温度下的加热，所述第一段温度为25℃～75℃，然后对粘附层和应力层进行第二段温度下的加热，所述第二段温度为-55℃～10℃，使粘附层和应力层从晶圆背面剥离，并使晶圆背面出现断裂，从而消除晶圆内部的应力。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力层和所述粘附层是金属材料，所述应力层的金属材料包括Ni、Fe、Cu、W或Au中的一种或多种，所述粘附层的金属材料是Ti、AlCu、TiW或NiV。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述应力层的金属材料的厚度为6um～50um，所述粘附层的金属材料的厚度为0.02um～1um。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力层是介电材料，包括氧化硅和氮化硅，所述粘附层是高分子材料，包括聚酰亚胺、聚氨酯、聚酯、聚烯烃、聚烯烃酸酯和聚氯乙烯。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述应力层和粘附层的厚度为100um～300um。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力层是蓝膜或压力敏感胶带，所述粘附层是缩醛或缩酮二环氧化物基粘合剂或丙烯酸基粘合剂。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，进一步在应力层上形成薄膜层，使得粘附层、应力层和薄膜层形成的应力与翘曲晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；在步骤S4中，使粘附层、应力层和薄膜层从晶圆背面剥离。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，薄膜层为金属材料、介电材料或高分子材料。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S4中，消除了晶圆内部应力的断裂使晶圆背面的一部分与粘附层和应力层一同剥离。