[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202310796749.0 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116525577A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴珊;游咏晞 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/285;H01L21/321;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：
半导体层；
铝金属层，形成在所述半导体层上，且所述铝金属层表面形成有多个凸部；以及
反应层，设置在所述铝金属层上，所述反应层覆盖所述凸部，且在经过退火后，所述反应层与所述铝金属层反应，形成融合层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述反应层为钛金属层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述融合层的材料为铝化钛。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述反应层的厚度为200Å~700Å。
5.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体层；
在所述半导体层上形成铝金属层，且所述铝金属层表面形成有多个凸部；
在所述铝金属层上形成层反应层，所述反应层覆盖所述凸部；以及
经过退火，所述反应层与所述铝金属层反应，形成融合层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，当所述铝金属层用于形成金属栅极时，所述半导体层为设置在层间介质层和所述金属栅极之间的功能半导体层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：蚀刻所述层间介质层形成凹槽，并沿所述凹槽底部和侧壁形成所述功能半导体层，所述功能半导体层延伸至所述层间介质层表面，所述铝金属层填满所述凹槽。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：移除所述融合层，以及高于衬底表面所述铝金属层和所述功能半导体层，位于所述凹槽中的所述铝金属层形成所述金属栅极。
9.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，当所述铝金属层用于形成铝衬垫时，所述半导体层为设置在金属互连层上的阻挡层。
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：在所述融合层上形成抗反射层。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：移除部分所述抗反射层和部分所述融合层，所述阻挡层上的所述铝金属层形成所述铝衬垫。
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