[发明专利]提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件

权利要求书

1.一种提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，所述功率半导体器件包括：

有源区，位于半导体基板的中心区，包括若干并联成一体的条形元胞，所述条形元胞包括条形电荷平衡结构；

终端区，环绕包围所述有源区，包括若干环绕有源区的终端耐压环，其中，

对所述终端区内的任一终端耐压环，包括与条形元胞长度方向平行的耐压平行部以及与条形元胞长度方向垂直的耐压垂直部，耐压平行部与耐压垂直部依次首尾相连；

在终端区内，至少将一个耐压垂直部邻近有源区的侧边配置成波浪状侧边，其中，对耐压垂直部的波浪状侧边，包括若干依次交替分布的波谷区以及波峰区，波谷区与相邻的波峰区适配连接，波谷区、波峰区均呈弧形状，波谷区的弧形开口朝向有源区，波峰区的弧形开口方向与波谷区的弧形开口方向相反；

波浪状侧边内的一波谷区与一条形元胞的条形电荷平衡结构对应，波浪状侧边内的波峰区与相邻条形电荷平衡结构之间的间隙区域对应，且波谷区的宽度不小于所对应条形电荷平衡结构的宽度；

在终端区内，至少将紧邻有源区的终端耐压环与正面第一电极金属欧姆接触；

对任一条形元胞，所述条形元胞内的条形电荷平衡结构包括SJ电荷平衡结构；

当条形电荷平衡结构为SJ电荷平衡结构时，对终端耐压环，包括制备于第一导电类型半导体基板内的第二导电类型掺杂耐压环，其中，

第二导电类型掺杂耐压环的结深与SJ电荷平衡结构内P柱在半导体基板内的深度相一致；

第二导电类型掺杂耐压环内耐压垂直部相应的侧边配置成波浪状侧边时，波浪状侧边内的波谷区与SJ电荷平衡结构内的P柱对应，波浪状侧边内的波峰区与SJ电荷平衡结构内的N柱对应；

在终端区内，至少将紧邻有源区的第二导电类型掺杂耐压环与正面第一电极金属欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，在终端区内，将一耐压垂直部的两侧边均配置成波浪状侧边，其中，

对一耐压垂直部的两个波浪状侧边，所述两个波浪状侧边内相应波谷区、波峰区的分布状态相一致。

3.根据权利要求1所述的提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，对一终端耐压环内的两个耐压垂直部，所述两个耐压垂直部的波浪状侧边分布状态相一致，且两个耐压垂直部相应波浪状侧边内相应波谷区、波峰区的分布状态相一致。

4.根据权利要求1至3任一项所述的提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，对与条形元胞一端部对应的终端区，存在多个耐压垂直部的至少一个侧边均配置成波浪状侧边时，所有波浪状侧边相一致，

或者，

沿有源区指向终端区的方向上，所述波浪状侧边的弧度逐渐平缓。

5.根据权利要求1所述的提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，所述第二导电类型掺杂耐压环的宽度与SJ电荷平衡结构内P柱的宽度相一致。

6.根据权利要求1至3任一项所述的提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件，其特征是，在终端区内，有且仅有一个终端耐压环内耐压垂直部的侧边配置成波浪状侧边时，所述终端耐压环在终端区紧邻有源区。