[发明专利]一种发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202310825890.9 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116565087B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、第一P型氢原子调控层、电子阻挡层、第二P型氢原子调控层和P型接触层；
其中，所述第一P型氢原子调控层和所述第二P型氢原子调控层均为氢掺杂P型氮化物层，所述第一P型氢原子调控层的氢掺杂浓度大于所述第二P型氢原子调控层的氢掺杂浓度；
所述第一P型氢原子调控层的厚度为1nm ~100nm，所述第二P型氢原子调控层的厚度为1nm ~200nm；
所述第一P型氢原子调控层氢掺杂的浓度为1E+19 atoms/cm3~1E+20 atoms/cm3，所述第二P型氢原子调控层氢掺杂的浓度为1E+18 atoms/cm3~1E+19 atoms/cm3。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述氢掺杂P型氮化物层由氢掺杂P型氮化镓、氢掺杂P型铝镓氮、氢掺杂P型铝铟镓氮、氢掺杂P型铝氮、氢掺杂P型铟氮中的一种或者多种组合构成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述氢掺杂P型氮化物层中P型掺杂元素为Mg、Be、Zn中的一种或者多种。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述氢掺杂P型氮化物层中，所述P型掺杂元素掺杂的浓度为1E+19 atoms/cm3~1E+21atoms/cm3。
5.一种如权利要求1~4任意一项所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、第一P型氢原子调控层、电子阻挡层、第二P型氢原子调控层和P型接触层；
其中，所述第一P型氢原子调控层和所述第二P型氢原子调控层均为氢掺杂P型氮化物层，所述第一P型氢原子调控层的氢掺杂浓度大于所述第二P型氢原子调控层的氢掺杂浓度；
所述第一P型氢原子调控层的厚度为1nm ~100nm，所述第二P型氢原子调控层的厚度为1nm ~200nm；
所述第一P型氢原子调控层氢掺杂的浓度为1E+19 atoms/cm3~1E+20 atoms/cm3，所述第二P型氢原子调控层氢掺杂的浓度为1E+18 atoms/cm3~1E+19 atoms/cm3。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述氢掺杂P型氮化物层沉积生长的温度为600℃~1100℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述氢掺杂P型氮化物层沉积生长过程中的生长气氛为N2/H2/NH3成分比例为1:1:1~1:20:10的混合气。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述氢掺杂P型氮化物层沉积生长的气氛压力为50 torr ~500 torr。
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