[发明专利]射频半导体器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种射频半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该射频半导体器件包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第一掺杂类型的阱区；与阱区接触设置的第一掺杂类型的掺杂区；设置在掺杂区远离阱区一侧，且与掺杂区接触的接地金属结构。根据本申请实施例，有利于提高LDMOS器件的工作效率。

技术领域

本申请属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种射频半导体器件及其制作方法。

背景技术

laterally-diffused metal-oxide semiconductor（LDMOS，横向扩散金属氧化物半导体）是应用于射频功率电路常见的功率放大器半导体器件，其横向加强承压和金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor，MOS）器件结合可以满足高耐压及功率放大等方面的要求。

相关技术中，射频半导体器件存在工作效率低的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种射频半导体器件及其制作方法，有利于提高射频半导体器件的工作效率。

第一方面，本申请实施例提供一种射频半导体器件，射频半导体器件包括：

第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；

设置在外延层内的第一掺杂类型的阱区；

与阱区接触设置的第一掺杂类型的掺杂区；

设置在掺杂区远离阱区一侧，且与掺杂区接触的接地金属结构。

在第一方面的一些可选实施方式中，射频半导体器件还包括：

设置在外延层远离衬底一侧的氧化层；

设置在氧化层内的栅极结构，栅极结构与外延层间隔设置；

设置在外延层内，且与栅极结构和阱区均间隔设置的第一掺杂类型的沟道区。

在第一方面的一些可选实施方式中，接地金属结构包括第一接地金属结构和第二接地金属结构；

在平行于衬底的方向上，第一接地金属结构的长度大于第二接地金属结构的长度，掺杂区的长度大于等于第二接地金属结构的长度，且小于等于第一接地金属结构与栅极结构之间的距离。

在第一方面的一些可选实施方式中，在垂直于衬底的方向上，掺杂区的长度小于等于衬底的长度与外延层的长度之和。

在第一方面的一些可选实施方式中，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。

在第一方面的一些可选实施方式中，在垂直于衬底的方向上，掺杂区的长度等于外延层的长度。在第一方面的一些可选实施方式中，射频半导体器件还包括：

设置在外延层内的第二掺杂类型的漂移区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

设置在漂移区内的第二掺杂类型的第一欧姆接触区；

与接地金属结构和沟道区均接触设置的第一掺杂类型的第二欧姆接触区；

设置在第二欧姆接触区和沟道区之间，且与第二欧姆接触区和沟道区均接触设置的第二掺杂类型的第三欧姆接触区。

在第一方面的一些可选实施方式中，射频半导体器件还包括：

设置在第一欧姆接触区远离衬底一侧，且与第一欧姆接触区接触的第一金属硅化物；

设置在第二欧姆接触区远离衬底一侧，且与第二欧姆接触区和第三欧姆接触区均接触的第二金属硅化物；

设置在氧化层内，且与接地金属结构接触设置的第一金属层；