[发明专利]一种基于光激发的气敏传感器、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202310848052.3 申请日: 2023-07-12
公开(公告)号: CN116577382B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 李金华;王治洋;陈泽磊 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 晋中市思锐知识产权代理事务所(普通合伙) 14122 代理人: 赵科
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 激发 传感器 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种基于光激发的气敏传感器,其特征在于,包括基板(1),气敏测试电极(2),光源,测试腔体支架(5),光激发气敏材料,外部电极;所述基板(1)位于测试腔体支架内部下层,所述气敏测试电极(2)设置在基板(1)上,所述光激发气敏材料设置在所述气敏测试电极(2)上,所述光源设置在测试腔体支架(5)内部上层;

所述光激发气敏材料为氧化锡氧化镉超晶格材料,所述氧化锡氧化镉超晶格材料的制备方法包括如下步骤:

步骤一:将醋酸锌,氢氧化钠,五水四氯化锡,四水硝酸镉粉末以摩尔比1:53~55:10~12:4~6加入去离子水中混合均匀,将混合物在室温中不断搅拌直至完全溶解,获得所需前驱液;

步骤二:将步骤一制备的前驱液转至反应釜中,以2℃/min的升温速率升至180-200℃下加热16-20h,等待反应釜冷却致室温后得到初始白色沉淀产物;

步骤三:将步骤二中所得的初始白色沉淀产物通过酒精和去离子水洗涤离心后干燥得到氧化锡氧化镉纳米结构超晶格前驱物粉末;

步骤四:将氧化锡氧化镉纳米结构超晶格前驱物粉末放置于管式炉中,向管式炉中通入氮气,以2℃/min的升温速率升至400-450℃后煅烧1-2h,后自然降温冷却至室温,得到目标产物。

2.根据权利要求1所述的一种基于光激发的气敏传感器,其特征在于,所述气敏测试电极(2)为叉指电极,叉指电极的叉指长度为500µm,叉指间距与叉指宽度为10µm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光激发的气敏传感器,其特征在于,所述光源为254纳米LED光源(4)。

4.一种权利要求1-3中任意一项所述的一种基于光激发的气敏传感器的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:

步骤Ⅰ:在测试腔体支架(5)内部下层粘贴基板(1);

步骤Ⅱ:将气敏测试电极(2)设置于基板(1)上;

步骤Ⅲ:将光激发气敏材料设置于气敏测试电极上;

步骤Ⅳ:将光源放置于测试腔体支架(5)内部上层,获得气敏传感器结构。

5.根据权利要求4所述的一种基于光激发的气敏传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤Ⅱ中,所述气敏测试电极通过光刻法制备,然后将氧化锡氧化镉超晶格材料通过旋涂的方式涂覆于叉指电极上,之后于80°C的环境下老化0.5h。

6.权利要求1-3中任意一项所述的一种基于光激发的气敏传感器或权利要求4-5中任意一项所述的制备方法制备得到的气敏传感器在三乙胺浓度检测中的应用。

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