[发明专利]金属/石墨烯复合材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202310848620.X 申请日: 2023-07-12
公开(公告)号: CN116552068B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 洪江彬;黄卫明;方崇卿;林建斌 申请(专利权)人: 厦门凯纳石墨烯技术股份有限公司
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;C01B32/184;B32B15/20;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/00;B32B38/00;B32B38/16;C23C16/26;H01B13/00;H01B1/02;H01B1/04;C09K5/14
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 杨雪
地址: 361000 福建省厦门市海沧*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 金属 石墨 复合材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种金属/石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

S1:提供清洗后的金属箔和液态碳源分散液;所述液态碳源分散液由水性树脂溶液和表面润湿剂混合而成;

S2:将所述液态碳源分散液喷涂至所述金属箔的表面,烘干,得到金属箔/碳源复合体;

S3:将所述金属箔/碳源复合体叠层设置,置于惰性气氛环境中进行加热处理,以使碳源在金属箔上原位生长为石墨烯,得到叠层的金属箔/石墨烯复合体;

S4:对叠层的金属箔/石墨烯复合体进行真空热压处理,得到金属/石墨烯复合材料。

2.根据权利要求1中所述的制备方法,其特征在于,所述S3包括:

S31:将所述金属箔/碳源复合体叠层设置,并置于惰性气氛环境中,加热至气体挥发温度,保温一定时间,以使碳源中的小分子以气体形式挥发,碳源中的大分子有机物发生断键脱氢转化成原子形态的碳;

S32:继续升温至石墨烯生长温度,保温一定时间,所形成的碳原子在金属箔的催化作用下反应,原位生长为石墨烯,得到叠层的金属箔/石墨烯复合体。

3.根据权利要求2中所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法满足下述特征中的至少之一:

所述S31中的气体挥发温度为350~450℃;

所述S31中的保温时长为1~2.5h;

所述S31中的反应压力为小于等于500Pa;

所述S32中的石墨烯生长温度为1020~1170℃;

所述S32中的保温时长为1.5~3h;

所述S32中的反应压力为小于等于1个大气压。

4.根据权利要求1中所述的制备方法,其特征在于,

所述水性树脂溶液的固含为5%~15%;

所述表面润湿剂占所述水性树脂溶液的质量占比为0.2%~0.5%。

5.根据权利要求4中所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法满足下述各特征中的至少之一:

所述水性树脂包括水性聚氨酯树脂、水性PVB树脂、水性苯丙树脂、水性环氧树脂、水性丙烯酸树脂和水性聚酯树脂中的一种或几种的复配物;

所述表面润湿剂包括BYK-9076、BYKP104S、KMT-7001、Surfynol104BC、SURFYNOL 104E和Dynol 604中的一种或几种的复配物。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法满足下述各特征中的至少之一:

所述金属箔为导电金属箔;

所述真空热压处理的热压烧结温度为850~1630℃;

所述真空热压处理的施加压力为60~100MPa;

所述真空热压处理的保压时长2.5~5h;

所述真空热压处理的反应腔室气压为10-5~10-3Pa。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法满足下述各特征中的至少之一:

所述金属箔包括铜箔、镍箔、钛箔、铁箔、钒箔、钴箔、锆箔中的至少一种;

所述金属箔的厚度为10~25µm;

所述金属箔的表面粗糙度为0.085~0.124µm;

所述金属箔的纯度为大于等于99.99%;

所述金属箔/碳源复合体中金属箔表面的碳源厚度为2~5µm;

所述S3中金属箔/碳源复合体的叠层层数为500~1200层。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金属/石墨烯复合材料满足下述各特征中的至少之一:

所述金属/石墨烯复合材料的电导率相对于所述金属箔提高18%以上;

所述金属/石墨烯复合材料的抗拉强度相对于所述金属箔提高20%以上;

所述金属/石墨烯复合材料的断裂伸长率相对于所述金属箔提高15%以上;

所述金属/石墨烯复合材料的热导率相对于所述金属箔提高23%以上。

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