[发明专利]IGBT功率模块寿命预测方法及装置

权利要求书

1.一种IGBT功率模块寿命预测方法，所述IGBT功率模块具有IGBT芯片、芯片焊料层，其特征在于：利用下式计算待测IGBT功率模块的寿命Nf：

；

其中，ΔT_j=Tj(max)-Tj(min)；Tjm=[Tj(max)+Tj(min)]/2；Tj(max)、Tj(min)分别对应为一个功率循环周期内待测IGBT模块中IGBT芯片结温最大值、IGBT芯片结温最小值；热阻偏差△R_ths=(R_ths,v-R_ths)/R_ths；R_ths,v为所述待测IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，R_ths为理想IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，所述理想IGBT功率模块的芯片焊料层为无初始空洞的芯片焊料层；a、b分别对应为第一预设参数、第二预设参数；

所述待测IGBT功率模块、所述理想IGBT功率模块具有相同的形状和尺寸。

2.根据权利要求1所述的IGBT功率模块寿命预测方法，其特征在于：第一预设参数a、第二预设参数b根据实验用IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻、所述实验用IGBT功率模块的寿命拟合得到，或者第一预设参数a、第二预设参数b根据实验用IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻、所述实验用IGBT功率模块的寿命、一个功率循环周期内实验用IGBT模块中IGBT芯片结温最大值和最小值之间的差值、一个功率循环周期内实验用IGBT模块中IGBT芯片结温最大值和最小值之和的一半拟合得到；

实验用IGBT功率模块的个数为K，K≥3，每个实验用IGBT功率模块均具有初始空洞；

所述待测IGBT功率模块、所述理想IGBT功率模块、所述实验用IGBT功率模块具有相同的形状和尺寸。