[发明专利]基于电流加热器件的偏置实验方法、装置、设备和介质有效

专利信息
申请号: 202310919780.9 申请日: 2023-07-26
公开(公告)号: CN116643139B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 朱贤龙;张晓松;王咏;肖鹏;许杰文;刘军;周晓阳 申请(专利权)人: 广东芯聚能半导体有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 张泽铭
地址: 511458 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 电流 加热 器件 偏置 实验 方法 装置 设备 介质
【说明书】:

本申请涉及基于电流加热器件的偏置实验方法、装置、设备和介质。所述方法包括:对待测器件加载加热电流;经过预设加热时间后,关断加热电流;对待测器件加载测试电流,并获取当前热敏参数值;根据当前热敏参数值和温度热敏对应关系确定当前器件温度;在当前器件温度大于要求测试温度的情况下,关断测试电流;对待测器件加载测试信号并进行测试;经过预设冷却时间后,关断测试信号;在待测器件失效或加载测试信号的时间达到测试时间的情况下,完成测试。通过加热电流对待测器件进行加热,使内部芯片的温度先到达测试温度,由于仅加热预设加热时间,防止待测器件的封装材料长时间承受高温老化影响,减少引入额外的失效机理,提高测试结果的准确性。

技术领域

本申请涉及半导体器件测试技术领域,特别是涉及一种基于电流加热器件的偏置实验方法、装置、计算机设备和计算机可读存储介质。

背景技术

目前对半导体器件进行高温测试时,会将待测器件置于加热箱之中,然后通过加热箱加热腔内的加热气体使待测器件整体升温,从而使内部芯片被加热到测试温度。然而,此种加热方式会使距离内部芯片较远的封装材料也长时间承受高温老化的影响,会引入额外的失效机理,导致测试结果不够准确。

发明内容

基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种测试结果更加准确的基于电流加热器件的偏置实验方法、装置、计算机设备和计算机可读存储介质。

第一方面,本申请提供了一种基于电流加热器件的偏置实验方法。所述方法包括:对待测器件加载加热电流;经过预设加热时间后,关断所述加热电流;对所述待测器件加载测试电流,并获取当前热敏参数值;根据所述当前热敏参数值和温度热敏对应关系确定当前器件温度;在所述当前器件温度大于要求测试温度的情况下,关断所述测试电流;对所述待测器件加载测试信号并进行测试;其中,所述待测器件在所述测试信号的作用下进入反偏状态或栅偏状态;经过预设冷却时间后,关断所述测试信号;在所述待测器件失效或加载所述测试信号的时间达到测试时间的情况下,完成测试。

在其中一个实施例中,所述对待测器件加载加热电流的步骤之前,所述方法还包括:通过加热平台将所述待测器件加热至预备温度;其中,所述预备温度小于所述要求测试温度。

在其中一个实施例中,偏置实验方法还包括:检测所述待测器件在不同器件温度下加载所述测试电流时的热敏参数值,得到所述温度热敏对应关系。

在其中一个实施例中,所述待测器件为场效应管,所述对所述待测器件加载测试信号并进行测试的步骤,包括:对所述场效应管的栅极加载高电压;对所述场效应管的源极和漏极加载低电压;监测所述场效应管的栅极和源极之间的漏电流。

在其中一个实施例中,所述待测器件为场效应管,所述对所述待测器件加载测试信号并进行测试的步骤,包括:对所述场效应管的漏极加载高电压;对所述场效应管的栅极和源极加载低电压;监测所述场效应管的漏极和源极之间的漏电流。

在其中一个实施例中,偏置实验方法还包括:对所述待测器件加载第一时间的加热电流;获取所述待测器件在所述测试电流下的第一热敏参数值;根据所述第一热敏参数值确定第一器件温度;在所述第一器件温度大于所述要求测试温度的情况下,将所述第一时间确定为所述预设加热时间。

在其中一个实施例中,所述对所述待测器件加载第一时间的加热电流的步骤之后,所述方法还包括:经过第二时间后,获取所述待测器件在所述测试电流下的第二热敏参数值;根据所述第二热敏参数值确定第二器件温度;在所述第二器件温度小于冷却温度的情况下,将所述第二时间确定为所述预设冷却时间。

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