[发明专利]一种乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202310920216.9 申请日: 2023-07-26
公开(公告)号: CN116622039B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 王宇;朱广东;陈占;夏阳;熊俊超;乐文伟 申请(专利权)人: 上海宇昂水性新材料科技股份有限公司
主分类号: C08F293/00 分类号: C08F293/00;B22F9/24;C08F2/38;H01B1/12;H01B1/02;H01B5/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 宫美玲
地址: 201306 上海市浦东新区中国(上海)*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 乙烯基 吡咯烷酮 共聚物 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物,其特征在于,所述乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物的制备原料包括乙烯基吡咯烷酮、链转移剂、引发剂和溶剂;

所述链转移剂的制备原料包括导电单体;

所述链转移剂通过如下方法制备得到,所述方法包括如下步骤:

(1)将导电单体和第一格氏试剂在溶剂中进行反应,加入催化引发剂进行反应,再加入第二格氏试剂进行反应,淬灭,得到端乙烯基导电聚合物;

(2)将步骤(1)得到的端乙烯基导电聚合物和硼氢化试剂在溶剂中进行反应,加入氢氧化钠溶液进行混合,再加入双氧水进行反应,得到端羟基导电聚合物;

(3)将步骤(2)得到的端羟基导电聚合物和氢氧化钠溶液在溶剂中混合,加入二硫化碳进行反应,再加入溴代烷烃进行反应,得到所述链转移剂;

步骤(1)所述导电单体包括吡咯类单体和/或噻吩类单体;

所述吡咯类单体的结构通式为,其中,R1选自H或C3~C15烷基;

所述噻吩类单体的结构通式为或,其中,R2~R4各自独立地选自H或C3~C12烷基。

2.根据权利要求1所述的乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物,其特征在于,所述引发剂包括偶氮类引发剂,所述溶剂为RAFT聚合溶剂。

3.根据权利要求1所述的乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物,其特征在于,所述链转移剂和乙烯基吡咯烷酮的摩尔比为1:(80~250)。

4.根据权利要求1所述的乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物,其特征在于,所述链转移剂、溶剂和引发剂的质量比为1:(3~6):(0.01~0.05)。

5.一种如权利要求1~4任一项所述乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:将乙烯基吡咯烷酮、链转移剂、引发剂和溶剂进行反应,得到所述乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述反应的时间为6~15 h,温度为60~90℃。

7.一种如权利要求1~4任一项所述的乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物作为封端剂的应用。

8.一种银纳米线,其特征在于,所述银纳米线的制备原料包括如权利要求1~4任一项所述的乙烯基吡咯烷酮嵌段共聚物。

9.一种银纳米线透明电极,其特征在于,所述银纳米线透明电极的材料包括如权利要求8所述的银纳米线。

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