[发明专利]一种探测器结构及其制作方法在审
申请号: | 202310935555.4 | 申请日: | 2023-07-28 |
公开(公告)号: | CN116666413A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 孙建军;张世晓 | 申请(专利权)人: | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215434 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种探测器结构,其特征在于,包括:
基板,包括相对设置的入射面及出射面;
反射层,位于所述基板上且覆盖所述出射面的至少一部分,所述反射层背离所述基板的一面上设有多个凸起,所述凸起自所述反射层背离所述基板延伸;
闪烁体层,位于所述反射层背离所述基板的一面上方;
可见光传感层,位于所述闪烁体层背离所述反射层的一面上方并与所述闪烁体层连接。
2.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:多个所述凸起在所述反射层朝向所述闪烁体层的一面上呈线性排布,且所述凸起呈长条型。
3.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:多个所述凸起在所述反射层朝向所述闪烁体层的一面上呈阵列排布。
4.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述反射层与所述闪烁体层之间,且所述平坦化层覆盖所述凸起的至少一部分。
5.根据权利要求3所述的探测器结构,其特征在于:所述平坦化层的光透过率大于或等于95%,所述平坦化层的厚度范围是2 mm ~5 mm。
6.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:所述基板的材料包括碳及玻璃中的至少一种,所述基板的厚度范围是0.3 mm~1.2 mm。
7.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:所述反射层的材料包括氧化钛、铝及银中的至少一种,所述反射层的厚度范围是1000 Å~10000 Å。
8.根据权利要求1所述的探测器结构,其特征在于:所述闪烁体层的材料包括碘化铯、掺钠碘化铯及掺铊碘化铯中的至少一种,所述闪烁体层的厚度范围是200 mm~400 mm。
9.一种探测器结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,所述基板包括相对设置的入射面及出射面;
形成反射层,所述反射层位于所述基板上且覆盖所述出射面的至少一部分,所述反射层背离所述基板的一面上设有多个凸起,所述凸起自所述反射层背离所述基板延伸;
形成闪烁体层,所述闪烁体层位于所述反射层背离所述基板的一面上方;
提供一可见光传感层,将所述可见光传感层与所述闪烁体层背离所述反射层的一面连接。
10.根据权利要求9所述的探测器结构的制作方法,其特征在于:形成所述反射层后还包括形成平坦化层的步骤,所述平坦化层位于所述反射层与所述闪烁体层之间,且所述平坦化层覆盖所述凸起的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的