[发明专利]一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法

权利要求书

1.一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1.将连接好结温测量引线的功率半导体模块安装在老化板上并安装到HTRB设备的温箱中，将引线引到温箱外并连接至测温单元；

S2.将温箱温度设置成（Tvjmax-T0）后进行高温反偏测试，其中，Tvjmax是该功率半导体模块的最大结温，T0为预设降低温度且T0≥0℃；

S3.测量所有功率半导体模块的各个结温Tvj，并判断Tvj是否均小于最大结温Tvjmax，若是，则进入S4，否则进入S6；

S4.判断高温反偏测试时长是否达到预设时长，若是，则进入S5，否则返回S3；

S5.将温箱温度升高第一温度步长T1后进行高温反偏测试，返回S3，其中，T1≥3℃；

S6.将温箱温度降低第二温度步长T2后重新进行高温反偏测试，其中，T2=INT(1/2*T1+T3)，其中，T3为温箱温度的控制精度，且T3≤1℃；

S7.测量该功率半导体模块的各个结温Tvj，并判断Tvj是否均小于最大结温Tvjmax，若是，则进入S8，否则进入S10；

S8.判断高温反偏测试时长是否达到预设时长，若是，则进入S9，否则返回S7；

S9.将温箱温度升高1℃并进行高温反偏测试，返回S7；

S10.将温箱温度降低T3后重新进行高温反偏测试；

S11.测量该功率半导体模块的各个结温Tvj，并判断Tvj是否均小于最大结温Tvjmax，若是，则进入S12，否则将温箱温度降低T4后重新进行高温反偏测试，返回S3，其中，T4T1；

S12.判断高温反偏测试时长是否达到预设时长，若是进入S13，否则返回S11；

S13.结束高温反偏测试并将此时的温箱温度作为HTRB测试温度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T0≥20℃。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，T0=30℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T1=5℃以及T2=3℃。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，T4为10℃。

6.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，T3为0.5℃或者1℃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，预设时长为10分钟以上。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，预设时长为30分钟。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在测量到的结温Tvj中有一个大于Tvjmax时，自动停止当前高温反偏测试并发出报警信号。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤S1和S2之间的Tvjmax修正步骤，具体地，将温箱温度设置成事先得到的Tvjmax，并只开启加热升温功能，不施加测试电压，让温箱在设定温度Tvjmax下稳定工作10分钟后，测量并记录Tvj，选择最大值作为修正后的Tvjmax。