[发明专利]一种极低频电磁信号发射机有效
申请号: | 202310960126.2 | 申请日: | 2023-08-02 |
公开(公告)号: | CN116667888B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 张军;曾艳丽;宋华东;关洁升;江歌;张成石 | 申请(专利权)人: | 沈阳仪表科学研究院有限公司;国机传感科技有限公司 |
主分类号: | H04B5/00 | 分类号: | H04B5/00;H04B1/04 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 袁晓哲 |
地址: | 110043 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低频 电磁 信号 发射机 | ||
1.一种极低频电磁信号发射机,其特征在于,包括:单片机、磁场发射回路、接收线圈、模拟数字转换器和铁芯;所述磁场发射回路包括串联谐振回路和驱动电路,所述串联谐振回路包括依次串联连接的发射线圈、电容网络、电阻网络和电流取样电阻,所述驱动电路分别与所述发射线圈和所述单片机连接,所述驱动电路用于产生SPWM波形驱动所述串联谐振回路;
所述单片机用于调节所述SPWM波形的参数;所述SPWM波形的参数包括占空比;
所述接收线圈与所述发射线圈均绕制在所述铁芯上,所述接收线圈通过所述模拟数字转换器与所述单片机连接;在所述磁场发射回路停止工作时间段,所述接收线圈用于接收外部信号,所述单片机还用于从所述外部信号中识别外部控制信号,并在下一次所述磁场发射回路的工作时间段,控制所述磁场发射回路采用设定的信号调制方式发出响应信号;所述单片机还用于根据所述外部控制信号对所述SPWM波形的参数进行调节。
2.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括第一多路模拟开关和第二多路模拟开关;所述第一多路模拟开关分别与所述电容网络和所述单片机连接,所述第二多路模拟开关分别与所述电阻网络和所述单片机连接;
所述单片机还用于判断所述电流取样电阻的电流是否在设定范围内,若否,则通过所述第二多路模拟开关调节所述电阻网络的阻值;
所述单片机还用于对采集到的所述电流取样电阻的电流和所述驱动电路的输入信号进行相位比较,当出现相位偏移时,则通过所述第一多路模拟开关调节所述电容网络的电容值。
3.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括与所述单片机连接的温度传感器和运动传感器;所述温度传感器用于检测环境温度,所述运动传感器用于检测所述极低频电磁信号发射机的加速度;
所述单片机用于采集所述环境温度和所述加速度,当所述环境温度大于第一阈值且所述加速度大于第二阈值时,通过所述驱动电路启动所述磁场发射回路,否则控制所述磁场发射回路处于停止工作状态。
4.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括与所述单片机连接的参数存储器;所述参数存储器用于存储工作参数,所述工作参数包括工作电流和所述SPWM波形的参数,所述工作电流为通过所述电流取样电阻的电流。
5.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,所述SPWM波形的参数还包括频率,所述SPWM波形的占空比为0.5/1.5。
6.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,所述驱动电路为H桥驱动电路。
7.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,所述电流取样电阻通过所述模拟数字转换器与所述单片机连接。
8.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括电池组和稳压电路,所述电池组与所述稳压电路连接,所述稳压电路与所述单片机连接。
9.根据权利要求8所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括外壳、绝缘筒、第一线圈挡块、第二线圈挡块、端盖和电路板,所述外壳和所述端盖螺纹连接,所述外壳外侧焊接有圆片状安装法兰,所述绝缘筒、所述发射线圈、所述接收线圈、所述第一线圈挡块、所述第二线圈挡块和所述电路板位于所述外壳和所述端盖构成的腔体内,所述电池组位于所述绝缘筒内,所述绝缘筒位于圆筒状的所述铁芯内,所述电路板位于所述端盖内,所述第一线圈挡块和所述第二线圈挡块位于所述铁芯的两端,所述接收线圈和所述发射线圈限位于所述第一线圈挡块和所述第二线圈挡块之间,所述接收线圈和所述发射线圈均与所述电路板连接。
10.根据权利要求1所述的极低频电磁信号发射机,其特征在于,还包括与所述单片机连接的晶振电路,所述晶振电路用于对单片机内部的RC振荡电路频率进行校准。
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