[实用新型]一种用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路

权利要求书

1.一种用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路包括滤波电路、第一阈值检测电路、第二阈值检测电路、逻辑与门电路、隔离电路和FPGA芯片，其中：

所述滤波电路，用于对外部输入的离散量信号进行滤波；

各所述阈值检测电路，输入端与所述滤波电路的输出端连接，在检测到滤波后的离散量信号处于阈值范围时输出高电平，否则，输出低电平，所述阈值范围为窗口电压范围；

所述逻辑与门电路，输入端与所述第一阈值检测电路和第二阈值检测电路的输出端连接；

所述隔离电路，输入端与所述逻辑与门电路的输出端连接，用于将所述逻辑与门电路的输出信号与所述FPGA芯片进行隔离保护；

所述FPGA芯片，用于采集所述逻辑与门电路的输出信号并存储。

2.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述FPGA芯片还通过串行总线与外部主板连接。

3.如权利要求2所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路还包括自测试电路，所述自测试电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、N/P沟道双路MOS管V1、第二光耦N1和二极管V2，所述N/P沟道双路MOS管V1的NMOS管源极接地，NMOS管栅极与所述FPGA芯片连接并通过所述电容C3接地，PMOS管漏极通过并联的所述电阻R1和电阻R2与所述第二光耦N1的阳极连接，PMOS管源极接+12V电压并通过所述电容C1接地，PMOS管栅极依次通过所述电阻R4和电阻R5接+12V电压，NMOS管漏极通过所述电阻R6与所述电阻R4和电阻R5的公共端连接，所述第二光耦N1的阴极和发射极均接地，集电极与所述二极管V2的阴极连接，所述二极管V2的阳极与所述滤波电路的输入端连接，所述电容C2的两端分别与所述第二光耦N1的阳极和阴极连接。

4.如权利要求3所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述N/P沟道双路MOS管V1的选型为Si1553CDL-T1-GE3。

5.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述隔离电路采用第一光耦。

6.如权利要求3-5任一所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：各所述光耦的选型为EL816S1D。

7.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述滤波电路为RC电路。

8.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述FPGA芯片选型为JFM7K325T8。

9.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述窗口电压的类型为±3.5V/开。

10.如权利要求1所述的用于窗口电压类型的双冗余离散量采集电路，其特征在于：所述阈值检测电路为比较器电路。