[实用新型]一种基于拨码实现的多片EEPROM片选电路

权利要求书

1.一种基于拨码实现的多片EEPROM片选电路，其特征在于，包括拨码模块(1)、EEPROM电平控制模块(2)、EEPROM芯片模块(3)、交换芯片(4)、复位电平控制模块(5)和复位模块(6)，

所述拨码模块(1)与EEPROM电平控制模块(2)和复位电平控制模块(5)电性连接，用于给EEPROM电平控制模块(2)和复位电平控制模块(5)提供电能；

所述EEPROM电平控制模块(2)与复位电平控制模块(5)和EEPROM芯片模块(3)电性连接，用于控制EEPROM芯片的电平和控制复位电平控制模块(5)改变电平；

所述复位电平控制模块(5)与复位模块(6)电性连接，用于控制复位芯片的电平；

所述EEPROM芯片模块(3)与交换芯片(4)电性连接，用于配置EEPROM数据传输至交换芯片(4)；

所述复位模块(6)与交换芯片(4)电性连接，用于复位交换芯片(4)；

所述交换芯片(4)与EEPROM芯片模块(3)电性连接，用于加载EEPROM。

2.如权利要求1所述的一种基于拨码实现的多片EEPROM片选电路，其特征在于，所述拨码模块(1)包括拨码开关SW1、电阻R27和R28，

拨码开关SW1的引脚3和4接地，拨码开关SW1的引脚1与电阻R27的一端和ON1电性连接，拨码开关SW1的引脚2与电阻R28的一端和ON2电性连接，电阻R27的另一端和电阻R28的另一端与VDD3V3电性连接。

3.如权利要求2所述的一种基于拨码实现的多片EEPROM片选电路，其特征在于，所述EEPROM电平控制模块(2)包括电阻R47、R61、R62、R63、三极管Q1和Q2，

三极管Q1的集电极与电阻R61的一端和ON1_B电性连接，电阻R61的另一端与VDD3V3电性连接，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的基极与电阻R62的一端电性连接，电阻R62的另一端与ON1电性连接，三极管Q2的集电极与电阻R47的一端和ON2_B电性连接，电阻R47的另一端与VDD3V3电性连接，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极与电阻R63的一端电性连接，电阻R63的另一端与ON2电性连接。