[实用新型]一种回馈式高频感应加热电源老化电路有效

专利信息
申请号: 202320087261.6 申请日: 2023-01-30
公开(公告)号: CN219225041U 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 高钢;张宝峰;罗湘 申请(专利权)人: 广东众创电源技术有限公司
主分类号: G01R31/42 分类号: G01R31/42;H05B6/04
代理公司: 深圳市精英创新知识产权代理有限公司 44740 代理人: 卢梓峰
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 回馈 高频 感应 加热 电源 老化 电路
【权利要求书】:

1.一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于:包括三相电网、感应加热电路、老化电路及感应线圈;

所述感应加热电路的输入端连接所述三相电网的输出端,所述感应加热电路的输出端连接所述感应线圈;

所述老化电路包括第一高频变压器、第一不控整流模块、升压模块及桥式逆变模块,所述第一高频变压器的输入端连接所述感应加热电路的输出端,所述第一高频变压器的输出端接入所述第一不控整流模块的输入端,所述升压模块两端分别连接所述第一不控整流模块的输出端及所述桥式逆变模块的输入端,所述桥式逆变模块的输出端接入所述三相电网的输入端。

2.根据权利要求1所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,所述第一不控整流模块包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管,所述第一二极管正极与所述第三二极管负极相连以形成第一连接点,所述第一二极管负极与所述第二二极管负极以形成第二连接点,所述第三二极管正极与所述第四二极管正极相连以形成第三连接点,所述第二二极管正极与所述第四二极管负极相连以形成第四连接点,所述第一高频变压器的输出端分别接入所述第一连接点及所述第四连接点,所述第二连接点及所述第三连接点分别连接所述升压模块的输入端。

3.根据权利要求2所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,所述升压模块包括第一开关单元、第三电感及第五二极管,所述第三电感一端连接所述第二连接点,所述第三电感另一端与所述第五二极管正极相连以形成第五连接点,所述第一开关单元的输入端连接所述第三连接点,所述第一开关单元的输出端连接第五连接点,所述桥式逆变模块的输入端分别连接所述第五二极管负极及所述第三连接点。

4.根据权利要求3所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,所述桥式逆变模块包括第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元及第七开关单元,所述第五开关单元输入端、所述第六开关单元输入端及所述第七开关单元输入端相连以形成第六连接点,所述第六连接点与所述第三连接点相连,所述第二开关单元输出端、所述第三开关单元输出端及所述第四开关单元输出端相连以形成第七连接点,所述第七连接点与所述第五二极管负极相连,所述第五开关单元输出端与所述第二开关单元输入端相连以形成第八连接点,所述第六开关单元输出端与所述第三开关单元输入端相连以形成第九连接点,所述第七开关单元输出端与所述第四开关单元输入端相连以形成第十连接点,所述第八连接点、所述第九连接点及所述第十连接点依次接入所述三相电网的A相、B相及C相。

5.根据权利要求2所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,还包括第一电感及第二电感,所述第一高频变压器的输出端具有第三管脚及第四管脚,所述第一电感两端分别连接所述第三管脚及所述第一连接点,所述第二电感两端分别连接所述第四管脚及所述第四连接点。

6.根据权利要求4所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,还包括第四电感、第五电感及第六电感,所述第四电感两端分别连接所述第八连接点及所述三相电网的A相,所述第五电感两端分别连接所述第九连接点及所述三相电网的B相,所述第六电感两端分别连接所述第十连接点及所述三相电网的C相。

7.根据权利要求2所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,还包括第一极性电容,所述第一极性电容正极连接所述第二连接点,所述第一极性电容负极连接所述第三连接点。

8.根据权利要求3所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,还包括第二极性电容,所述第二极性电容正极连接所述第五二极管负极,所述第二极性电容负极连接所述第一开关单元的输入端。

9.根据权利要求3所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管及所述第五二极管均选用碳化硅二极管。

10.根据权利要求4所述的一种回馈式高频感应加热电源老化电路,其特征在于,各开关单元均包括续流二极管及IGBT场效应管,所述IGBT场效应管的发射极为各开关单元的输入端,所述IGBT场效应管的集电极为各单元的输出端,所述IGBT场效应管的基极用于连接控制芯片,所述续流二极管正极与所述IGBT场效应管的发射极相连,所述续流二极管负极与所述IGBT场效应管的集电极相连。

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