[实用新型]基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制系统

权利要求书

1.一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，包括：

光控太赫兹波调制芯片，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于所述绝缘衬底上；

光泵浦源，其泵浦激光出口对准所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；

太赫兹波源和太赫兹波探测器，两者相对设置，其中，所述太赫兹波源位于所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；所述太赫兹波探测器位于所述光控太赫兹波调制芯片的衬底侧；

其中，所述太赫兹波源发射的太赫兹波通过所述光控太赫兹波调制芯片，由所述太赫兹波探测器进行探测，利用光泵浦源产生的泵浦激光对通过光控太赫兹波调制芯片的太赫兹波进行调制。

2.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述光控太赫兹波调制芯片还包括：

第二薄膜，形成于所述碲薄膜之上或绝缘衬底和碲薄膜之间；

其中，所述碲薄膜和第二薄膜的界面形成二维范氏异质结。

3.根据权利要求2所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述第二薄膜为以下薄膜中的一种：锗薄膜、砷薄膜、过渡金属硫族化合物薄膜。

4.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述第二薄膜为锗薄膜，所述碲薄膜和锗薄膜在界面处形成二维范氏异质结。

5.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述第二薄膜的厚度介于1nm～200nm之间。

6.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述光控太赫兹波调制芯片中，所述碲薄膜的厚度介于1nm～200nm之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，所述光控太赫兹波调制芯片中，所述绝缘衬底为：双抛石英衬底或蓝宝石衬底。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的光控太赫兹波调制系统，其特征在于，

所述光泵浦源产生的泵浦激光的波长为800nm；和/或

所述光控太赫兹波调制芯片由绝缘衬底和碲薄膜构成，其中，所述绝缘衬底为双抛石英衬底。