[实用新型]低温烘烤装置及低温烘烤系统

说明书

本实用新型涉及低温烘烤装置及低温烘烤系统。低温烘烤装置包括充电触点及充电电路。充电触点包括第一触点和第二触点，充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态。充电电路与第一触点和第二触点连接，充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，第一触点通过第一电路分别连通正极端和接地端，第二触点通过第二电路分别连通正极端和接地端。其中：在充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端和接地端的通路均导通，第二电路与正极端和接地端的通路均关断；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端和接地端的通路均关断，第二电路与正极端的和接地端的通路均导通。

技术领域

本实用新型涉及低温烘烤系统技术领域，更具体而言，涉及一种低温烘烤装置及低温烘烤系统。

背景技术

现有的低温烘烤系统一般包括可分离的低温烘烤装置及供电装置，低温烘烤装置可插入供电装置进行充电，充电后的低温烘烤装置能够加热气溶胶生成基质以产生供用户使用的气溶胶。目前的低温烘烤装置的充电触点往往设置在某一端的底部，从结构上实现不分方向的充电方式。然而，这种结构限制了低温烘烤装置的充电触点只能设置在底部。

实用新型内容

基于此，本实用新型提供一种低温烘烤装置及低温烘烤系统，用于解决充电触点不分连接方向的低温烘烤装置的充电触点位置受限的问题。

本申请提供的低温烘烤装置包括充电触点及充电电路。充电触点包括第一触点和第二触点，充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态。充电电路与第一触点和第二触点连接，充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，第一触点通过第一电路分别连通正极端和接地端，第二触点通过第二电路分别连通正极端和接地端。在充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路导通且第一电路与接地端的通路导通，第二电路与正极端的通路关断且第二电路与接地端的通路关断；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路关断且第一电路与接地端的通路关断，第二电路与正极端的通路导通且第二电路与接地端的通路导通。

在其中一个实施例中，充电电路包括设置于第一电路的第一开关组和设置于第二电路的第二开关组，第一开关组用于切换第一电路的导通或关断状态，第二开关组用于切换第二电路的导通或关断状态。

在其中一个实施例中，第一开关组包括第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；第一PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接，第一PMOS管的源极与正极端连接，第一PMOS管的漏极与第一触点连接；第二NMOS管的栅极与第一触点连接，第二NMOS管的源极与接地端连接，第二NMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极连接；第三NMOS管的栅极与第一触点连接，第三NMOS管的源极与接地端连接，第三NMOS管的漏极与第二触点连接；在充电触点在第一极性状态的情况下，第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管均处于打开状态；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管均处于关断状态。

在其中一个实施例中，第二开关组包括第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管；第四PMOS管的栅极与第五NMOS管的漏极连接，第四PMOS管的源极与正极端连接，第四PMOS管的漏极与第二触点连接；第五NMOS管的栅极与第二触点连接，第五NMOS管的源极与接地端连接，第五NMOS管的漏极与第四PMOS管的栅极连接；第六NMOS管的栅极与第二触点连接，第六NMOS管的源极与接地端连接，第六NMOS管的漏极与第一触点连接；在充电触点在第一极性状态的情况下，第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管均处于关断状态；在充电触点在第二极性状态的情况下，第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管均处于打开状态。

在其中一个实施例中，充电电路包括电芯，电芯与正极端和接地端连接，充电触点还包括第三极性状态，在电芯为满电状态下，充电触点处于第三极性状态，第三极性状态是第一触点的对地电压和第二触点的对地电压均为零的状态，在充电触点在第三极性状态的情况下，第一电路和第二电路均关断。