[实用新型]半导体设备零部件气体分配盘的熔射保护工装有效
申请号: | 202320148843.0 | 申请日: | 2023-01-16 |
公开(公告)号: | CN219449836U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 王阳阳;陶近翁;陶岳雨;杨科 | 申请(专利权)人: | 卡贝尼新材料科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C4/01 | 分类号: | C23C4/01;C23C4/134;C23C16/455 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 王丹东 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体设备 零部件 气体 分配 保护 工装 | ||
本实用新型提供了一种涉及气体分配盘技术领域的半导体设备零部件气体分配盘的熔射保护工装,包括凸起、内圈和定位圈,凸起连接于定位圈上,定位圈连接内圈,内圈和定位圈罩于气体分配盘上。本实用新型对于被保护的部件表面不会留下残胶、污垢,熔射层边缘平滑过渡无台阶,熔射区域精准可控,用于替代手工用耐高温胶带对非熔射区域的遮蔽保护,具有使用方便,稳定可控,精度高,可重复使用,降低工时及物料成本的优点。
技术领域
本实用新型涉及气体分配盘技术领域,具体地,涉及半导体设备零部件气体分配盘的熔射保护工装。
背景技术
因半导体刻蚀设备对气体分配盘零部件的表面有较高的耐等离子体刻蚀性能要求,需要对气体分配盘零部件表面进行等离子熔射处理,熔射一层氧化钇陶瓷涂层,以满足部件表面的耐等离子体刻蚀性能要求。在对气体分配盘零部件进行表面熔射时,常规方法是利用耐高温胶带对非熔射区域保护,熔射区域很难精准控制,熔射层边缘有台阶,,非熔射区域的保护宽度不足或超出都会对半导体刻蚀设备制程产生影响,同时熔射层边缘台阶也会影响涂层使用寿命,对于常规手工用耐高温胶带进行粘贴保护难度很大,工时长,且精度不可控。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种半导体设备零部件气体分配盘的熔射保护工装。
根据本实用新型提供的一种半导体设备零部件气体分配盘的熔射保护工装,包括凸起、内圈和定位圈,凸起连接于定位圈上,定位圈连接内圈,内圈和定位圈罩于气体分配盘上。
一些实施例中,内圈和定位圈呈环状。
一些实施例中,凸起与气体分配盘上的凸块适配连接。
一些实施例中,内圈适配连接于气体分配盘的部件外圈上。
一些实施例中,定位圈适配连接于气体分配盘的熔射区外侧。
一些实施例中,内圈的内径>气体分配盘的外径。
一些实施例中,定位圈的环宽≥部件外圈的环宽。
一些实施例中,定位圈的遮蔽面与部件外圈被遮蔽面间隙为3-7mm。
一些实施例中,定位圈的遮蔽面与部件外圈被遮蔽面间隙为5mm。
与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:
本实用新型对于被保护的部件表面不会留下残胶、污垢,熔射层边缘平滑过渡无台阶,熔射区域精准可控,用于替代手工用耐高温胶带对非熔射区域的遮蔽保护,具有使用方便,稳定可控,精度高,可重复使用,降低工时及物料成本的优点。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实用新型结构示意图;
图2为被保护零部件气体分配盘。
图中标号:
1-凸起,2-内圈,3-定位圈,4-凸块,5-部件外圈,6-熔射区。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型,但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆